| 发明名称 | 半导体封装件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体封装件，包括具有含至少一个集成电路的活性表面的半导体晶片，其中每一集成电路具有多个结合点。至少一个固化的硅氧烷元件覆盖至少一部分该活性表面。每一结合点中的至少一部分没有被硅氧烷元件覆盖。该硅氧烷元件在-40至150℃下的线性热膨胀系数为60—280μm/m℃，和在25℃下的模量为1—300MPa，和通过本发明的方法制备该硅氧烷元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1328770C | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN03815566.4 | 申请日期 | 2003.03.19 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | S·丹特;L·拉尔森;R·尼尔森;D·索里兹 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L23/485(2006.01);H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 1.一种半导体封装件，它包括：具有活性表面的半导体晶片，所述活性表面包括至少一个集成电路，其中每一集成电路具有多个结合点；和覆盖至少一部分活性表面的至少一种固化的硅氧烷元件，其中每一结合点的至少一部分没有被所述硅氧烷元件覆盖，该硅氧烷元件在-40至150℃下的线性热膨胀系数为60-280μm/m℃，和在25℃下的模量为1-300MPa，和通过包括下述步骤的方法制备该硅氧烷元件：(i)在活性表面上印刷硅氧烷组合物，形成硅氧烷沉积物，其中该硅氧烷组合物包含：(A)每分子含有平均至少两个与硅键合的链烯基的有机聚硅氧烷，(B)浓度足以固化该组合物的有机氢化硅氧烷，所述有机氢化硅氧烷每分子含有平均至少两个与硅键合的氢原子，(C)有效量表面积小于25m2/g的无机填料，(D)催化量的氢化硅烷化催化剂；和(ii)加热该硅氧烷沉积物，其时间足以形成固化硅氧烷元件。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||