发明名称 | 激光CVD设备与激光CVD方法 | ||
摘要 | 将提供一种激光CVD设备,该设备能够加强由激光CVD形成的膜与基底的膜的形成面之间的粘连,并且防止膜本身的破裂。该设备包括:等离子预处理单元,其用于通过电弧放电将预处理气体变成等离子状态,并且将等离子状态的气体提供到膜的形成面;以及膜的形成单元,其具有用于密封膜合成气体而与外部大气隔离的装置,还具有用于将激光束辐射到膜合成气体的装置,其中在基底的膜的形成面的上面形成膜。 | ||
申请公布号 | CN1328411C | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
申请号 | CN03147818.2 | 申请日期 | 2003.06.25 |
申请人 | 激光先进技术股份公司 | 发明人 | 森重幸雄;上田淳 |
分类号 | C23C16/48(2006.01) | 主分类号 | C23C16/48(2006.01) |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆弋;钟强 |
主权项 | 1.一种激光CVD设备,包括:等离子单元,其用于在大气中将预处理气体变成等离子状态并且将等离子气体提供到基底;用于将激光束辐射到基底上的淀积区域的装置;用于将膜合成气体提供到淀积区域的装置;和用于密封膜合成气体而与外部大气隔离的装置,其中,所述基底的淀积区域由所述等离子单元预处理,并且通过所述激光束激励膜合成气体,在所述基底的淀积区域上面形成膜,其中,将等离子气体提供到基底到在所述基底上形成膜的一系列工艺是在大气中进行的。 | ||
地址 | 日本神奈川 |