发明名称 半导体设备之乾燥装置及方法
摘要 一种半导体设备之乾燥装置,包含一抽取设备、一管路、一流体开关、一电流开关以及一控制装置,抽取设备及管路分别与半导体设备连接,在管路上设置流体开关,控制装置藉由电流开关电性控制流体开关。当流体开关开启时,藉由抽取设备,一流体经由管路进入半导体设备。藉由流体开关在开启及关闭之间切换复数次,以乾燥半导体装置。
申请公布号 TWI284352 申请公布日期 2007.07.21
申请号 TW094133215 申请日期 2005.09.23
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 曾国邦;郝鸿虎
分类号 H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种一半导体设备之乾燥装置,包含: 一抽取设备,与该半导体设备连接; 一管路,与该半导体设备连接, 一流体开关,设置于该管路上,其中当该流体开关 开启时,藉由该抽取设备,使一流体经由该管路进 入该半导体设备;以及 一控制装置,具有一电流开关,电性控制该流体开 关之开启及关闭; 其中,藉由该流体开关在开启及关闭之间切换复数 次,以乾燥该半导体装置。 2.如请求项1所述之乾燥装置,其中该流体开关在开 启及关闭之间切换复数次期间,该流体开关至少一 次维持开启约5至10分钟。 3.如请求项1所述之乾燥装置,其中该流体开关在开 启及关闭之间切换复数次期间,该流体开关至少一 次维持关闭约小于1分钟。 4.如请求项1所述之乾燥装置,其中该乾燥装置系使 用于一化学气相沉积设备中。 5.如请求项1所述之乾燥装置,其中该管路为一真空 软管。 6.如请求项1所述之乾燥装置,其中该电流开关为一 继电器。 7.如请求项1所述之乾燥装置,其中该抽取设备为一 真空泵浦。 8.如请求项1所述之乾燥装置,其中该流体为一惰性 气体或氮气。 9.如请求项1所述之乾燥装置,其中该流体开关为一 真空阀。 10.一种一半导体设备之乾燥方法,系使用一抽取装 置、一管路及一控制装置,其中该管路设置一流体 开关,而该控制装置具有一电流开关,控制该流体 开关,该乾燥方法包含: 提供一流体; 启动该抽取装置; 该流体开关在开启及关闭切换复数次,使该流体经 该管路进入该半导体设备复数次。 11.如请求项10所述之乾燥方法,其中该流体开关在 开启及关开之间切换复数次之步骤中,该流体开关 至少一次维持开启约5至10分钟。 12.如请求项10所述之乾燥方法,其中该流体开关在 开启及关闭之间切换复数次之步骤中,该流体开关 至少一次维持关闭小于约1分钟。 13.如请求项10所述之乾燥方法,其中该提供之该流 体为一惰性气体或氮气。 14.如请求项10所述之乾燥方法,其中该流体开关在 开启及关闭切换复数次之步骤中,该控制装置经由 该电流开关传送一讯号给该流体开关,以电性控制 该流体开关之开启或关闭。 15.如请求项14所述之乾燥方法,其中该流体开关在 开启及关闭切换复数次之步骤,系藉由设定该控制 器,使该流体定时开关开启或关闭。 16.如请求项10所述之乾燥方法,其中该流体开关为 一真空阀。 17.如请求项10所述之乾燥方法,其中该半导体设备 为一真空软管。 18.如请求项10所述之乾燥方法,其中在电流开关为 一继电器。 图式简单说明: 第一图 为根据本发明之一实施例的乾燥装置的示 意图。 第二图 为根据本发明之一实施例的乾燥方法的流 程图。 第三图 为使用本发明之乾燥装置与一般之乾燥装 置,时间与压力图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号