| 主权项 |
1.一种制作深沟渠电容的方法,包含有: 提供一基底,其上有一氧化矽层、一第一氮化矽层 、一浅沟隔离于该基底、该氧化矽层、该第一氮 化矽层之间; 形成一第二氮化矽层于该氧化矽层、该第一氮化 矽层和该浅沟隔离上; 形成一图案化多晶矽层于该第二氮化矽层上; 利用该图案化多晶矽层对该第二氮化矽层、该第 一氮化矽层、该氧化矽层、该浅沟隔离进行蚀刻, 以形成一深沟渠开口; 蚀刻去除该图案化多晶矽层,并同时蚀刻该基底以 加深该深沟渠开口;以及 填入一电容结构于该深沟渠开口中。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该浅 沟隔离的方法包含有: 蚀刻该基底、该氧化矽层、该第一氮化矽层; 填入一介电层;以及 施以一化学机械研磨制程于该介电层。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一氮 化矽层之厚度系包含1000埃至3000埃之间。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该第二氮 化矽层之厚度系包含1000埃至3000埃之间。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该浅沟隔 离之厚度系包含3000埃至5000埃之间。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该图案化 之多晶矽层之厚度系包含1000埃至3000埃之间。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该图案化 多晶矽层系藉由一图案化光阻层作为一遮罩而蚀 刻完成。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中利用该图 案化光阻层作为该遮罩蚀刻出该图案化多晶矽层 之蚀刻制程系以该第二氮化矽层作为一蚀刻停止 层。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电容结 构包含有: 一储存电极于该基底中; 一氧化矽、氮化矽、氧化矽介电层于该深沟渠开 口内;以及 一导电层于该氧化矽、氮化矽、氧化矽介电层内 。 10.一种蚀刻深沟渠开口的方法,系提供一浅沟隔离 于一矽基底、一氧化矽层和一氮化矽层之堆叠结 构之间,以一图案化多晶矽层当作一遮罩进行一第 一蚀刻制程,同时蚀刻该氮化矽层、该氧化矽层、 该浅沟隔离和该基底以形成该深沟渠开口。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该图案 化多晶矽层系藉由一第二蚀刻制程形成。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二 蚀刻制程系包含一图案化光阻层作为一蚀刻遮罩 。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该第二 蚀刻制程系包含利用一四氟化碳、一溴化氢、一 六氟化硫气体其中之一以及其组合来进行蚀刻。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二 蚀刻制程系利用该氮化矽层作为一蚀刻停止层。 15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第一 蚀刻制程系包含使用一四氟化碳气体来进行蚀刻 。 16.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第一 蚀刻制程系包含使用一三氟甲烷气体来进行蚀刻 。 17.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第一 蚀刻制程系包含使用一四氟化碳和一三氟甲烷气 体来进行蚀刻。 18.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该第一 蚀刻制程形成该深沟渠开口后系包含进行一第三 蚀刻制程以去除该图案化多晶矽层。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该第三 蚀刻制程亦蚀刻该矽基底以加深该深沟渠开口。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该第三 蚀刻制程系包含利用一四氟化碳气体来进行蚀刻 。 21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该第三 蚀刻制程系包含利用一六氟化硫气体来进行蚀刻 。 22.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该第三 蚀刻制程系包含利用一四氟化碳、一六氟化硫气 体来进行蚀刻。 图式简单说明: 第1图至第4图为习知技术中制作深沟渠电容和浅 沟隔离之示意图。 第5图系为习知技术中电容介电层蚀刻不完全之示 意图。 第6图至第9图系为本发明制作深沟渠开口之示意 图。 第10图系为本发明中深沟渠开口之扫瞄式电子显 微镜照片。 |
