| 主权项 |
1.一种膜图案形成方法,其特征在于:其系藉由将功 能液配置于基板上而形成膜图案之方法;具有以下 步骤: 于前述基板上形成岸堤之步骤; 于由前述岸堤所区划之区域,配置前述功能液之步 骤;及 使配置于前述基板上之前述功能液乾燥之步骤; 前述岸堤之形成步骤系具有以下步骤:将包含无机 质材料之层,形成复数层之步骤;使用有机掩模,将 前述复数层进行图案化之步骤;及除去前述有机掩 模之步骤。 2.如请求项1之膜图案形成方法,其中前述复数层中 之最表面层系由防液性材料组成。 3.如请求项1之膜图案形成方法,其中包含:于将前 述复数层进行图案化前,将最表面层进行防液处理 之步骤。 4.如请求项1至3中任一项之膜图案形成方法,其中 采用液滴吐出法,将前述功能液配置于前述区域。 5.一种元件制造方法,其特征在于:其系元件之制造 方法,该元件系于基板形成膜图案而成; 藉由请求项1至4中任一项之膜图案形成方法,于前 述基板形成前述膜图案。 6.如请求项5之元件制造方法,其中前述膜图案系构 成设于前述基板上之开关元件之一部分。 图式简单说明: 图1系概念性地表面本发明之膜图案形成方法之模 式图。 图2为主动矩阵型基板之部分放大图。 图3为主动矩阵型基板之等价电路图。 图4(a)、(b)系表示制造主动矩阵型基板之程序之图 。 图5(a)、(b)系表示接续于图4之程序之图。 图6为液滴吐出装置之概略立体图。 图7为液滴吐出头之剖面图。 图8(a)、(b)系表示接续于图5之程序之图。 图9(a)~(c)系表示接续于图8之程序之图。 图10(a)~(c)系表示接续于图9之程序之图。 图11(a)~(c)系表示接续于图10之程序之图。 图12(a)~(c)系表示接续于图11之程序之图。 图13(a)~(c)系表示接续于图12之程序之图。 图14(a)~(c)系表示接续于图13之程序之图。 图15(a)~(c)系表示接续于图14之程序之图。 图16(a)~(c)系表示主动矩阵型基板之其他型态例之 模式图。 图17系从对向基板侧观看液晶显示装置之平面图 。 图18为液晶显示装置之剖面图。 图19(a)~(c)系表示电子机器之具体例之图。 |
