| 主权项 |
1.一种局部分离浮置闸元件,包括: 一基底,该基底具有一第一源极汲极接合与一第二 源极汲极接合; 一第一氧化物区与一第二氧化物区,其中该第一氧 化物区被定义在该第一源极汲极接合上,且该第二 氧化物区被定义在该第二源极汲极接合上; 一第一浮置闸,该第一浮置闸被定义在该第一源极 汲极接合上并与该第一源极汲极接合具有一重叠 部分,且该第一浮置闸邻近该第一氧化物区,当该 第一源极汲极接合系用以作为一汲极时,该重叠部 分系建立一汲极耦合度;以及 一第二浮置闸,该第二浮置闸被定义与该第二源极 汲极接合上并与该第二源极汲极接合具有一重叠 部分,且该第二浮置闸邻近该第二氧化物区,当该 第二源极汲极接合系用以作为一汲极时,该重叠部 分系建立一汲极耦合度。 2.如申请专利范围第1项所述之局部分离浮置闸元 件,更包括一间隙壁,该间隙壁位在该第一氧化物 区之两侧,并有助于定义该重叠部分的量。 3.如申请专利范围第2项所述之局部分离浮置闸元 件,其中该间隙壁包括一氮化矽间隙壁。 4.如申请专利范围第2项所述之局部分离浮置闸元 件,其中该间隙壁包括一氧化物间隙壁。 5.如申请专利范围第1项所述之局部分离浮置闸元 件,更包括一间隙壁,该间隙壁位在该第二氧化物 区之两侧,并有助于定义该重叠部分的量。 6.如申请专利范围第5项所述之局部分离浮置闸元 件,其中该间隙壁包括一氮化矽间隙壁。 7.如申请专利范围第5项所述之局部分离浮置闸元 件,其中该间隙壁包括一氧化物间隙壁。 8.如申请专利范围第1项所述之局部分离浮置闸元 件,更包括: 一氧化层,该氧化层位在该第一浮置闸和该第二浮 置闸上; 一穿隧氧化层,该穿隧氧化层被定义在该基底上; 以及 一多晶矽闸,该多晶矽闸被定义介于该第一浮置闸 与该第二浮置闸之间,且在该穿隧氧化层上,其中 一通道系被定义在该基底中且位在该穿隧氧化层 下方。 9.如申请专利范围第1项所述之局部分离浮置闸元 件,其中当该第一源极汲极接合为一汲极时,该第 二浮置闸系储存一第一位元,而该第一浮置闸因该 汲极耦合度而抑制一第二位元效应。 10.如申请专利范围第1项所述之局部分离浮置闸元 件,其中该重叠部分介于0.01微米~0.1微米之间。 11.如申请专利范围第1项所述之局部分离浮置闸元 件,其中该重叠部分介于0.03微米~0.08微米之间。 12.如申请专利范围第1项所述之局部分离浮置闸元 件,其中该重叠部分为0.06微米。 13.一种局部分离浮置闸元件,包括: 一汲极接合,该汲极接合被定义在一基底上; 一氧化物区,该氧化物区被定义在该汲极接合的一 中央区域上;以及 一浮置闸,该浮置闸被定义邻近该氧化物区,其中 该浮置闸被定义在该汲极接合上并与该汲极接合 具有一重叠部分,且该重叠部分系建立一汲极耦合 度以抑制一逆向读取第二位元效应。 14.如申请专利范围第13项所述之局部分离浮置闸 元件,更包括一间隙壁,该间隙壁位在该氧化物区 之两侧,并有助于定义该重叠部分的量。 15.如申请专利范围第14项所述之局部分离浮置闸 元件,其中该间隙壁包括一氮化矽间隙壁。 16.如申请专利范围第14项所述之局部分离浮置闸 元件,其中该间隙壁包括一氧化物间隙壁。 17.如申请专利范围第13项所述之局部分离浮置闸 元件,更包括: 一氧化层,该氧化层位在该浮置闸上; 一穿隧氧化层,该穿隧氧化层被定义在该基底上; 以及 一多晶矽闸,该多晶矽闸被定义在该穿隧氧化层及 该氧化层上。 18.如申请专利范围第13项所述之局部分离浮置闸 元件,其中该浮置闸因该汲极耦合度而抑制该逆向 读取第二位元效应。 19.如申请专利范围第13项所述之局部分离浮置闸 元件,其中该重叠部分介于0.01~0.1微米之间。 20.如申请专利范围第13项所述之局部分离浮置闸 元件,其中该重叠部分介于0.03~0.08微米之间。 21.如申请专利范围第13项所述之局部分离浮置闸 元件,其中该重叠部分为0.06微米。 22.一种在逆向读取操作中具有第二位元效应抑制 之局部分离浮置闸元件的制造方法,包括: 提供一基底,该基底具有一第一源极汲极接合与一 第二源极汲极接合; 在该第一源极汲极接合上形成一第一氧化物区,以 及在该第二源极汲极接合上形成一第二氧化物区; 在该第一源极汲极接合上形成一第一浮置闸,并与 该第一源极汲极接合具有一重叠部分,其中该第一 浮置闸邻近该第一氧化物区,而当该第一源极汲极 接合系用以作为一汲极时,该重叠部分就能够建立 一汲极耦合度;以及 在该第二源极汲极接合上形成一第二浮置闸,并与 该第二源极汲极接合具有一重叠部分,其中该第二 浮置闸邻近该第二氧化物区,而当该第二源极汲极 接合系用以作为一汲极时,该重叠部分就能够建立 一汲极耦合度。 23.如申请专利范围第22项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,更包括: 于该第一氧化物区之两侧形成一间隙壁,且该间隙 壁有助于定义该重叠部分的量。 24.如申请专利范围第23项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该间隙壁包括一氮化矽间隙壁。 25.如申请专利范围第23项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该间隙壁包括一氧化物间隙壁。 26.如申请专利范围第22项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,更包括: 于该第二氧化物区之两侧形成一间隙壁,且该间隙 壁有助于定义该重叠部分的量。 27.如申请专利范围第26项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该间隙壁包括一氮化矽间隙壁。 28.如申请专利范围第26项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该间隙壁包括一氧化物间隙壁。 29.如申请专利范围第22项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,更包括: 于该第一浮置闸及该第二浮置闸上形成一氧化层; 于该基底上形成一穿隧氧化层;以及 于该第一浮置闸与该第二浮置闸之间,以及该穿隧 氧化层上形成一多晶矽闸,其中一通道系被定义在 该基底内且位于穿隧氧化层下方。 30.如申请专利范围第22项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中当该第一源极汲极接合为一汲极 时,该第二浮置闸储存一第一位元,而该第一浮置 闸因该汲极耦合度而抑制一第二位元效应。 31.如申请专利范围第22项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该重叠部分介于0.01~0.1微米之间 。 32.如申请专利范围第22项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该重叠部分介于0.03~0.08微米之间 。 33.如申请专利范围第22项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 之制造方法,其中该重叠部分为0.06微米。 34.一种在逆向读取操作中具有第二位元效应抑制 之局部分离浮置闸元件的制造方法,包括: 形成一汲极接合,该汲极接合被定义在一基底中; 形成一氧化物区,该氧化物区被定义在该汲极接合 的中央区域上;以及 形成一浮置闸,该浮置闸被定义邻近该氧化物区, 其中该浮置闸被定义在该汲极接合上并与该汲极 接合具有一重叠部分,且该重叠部分能够建立一汲 极耦合度以抑制一逆向读取第二位元效应。 35.如申请专利范围第34项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,更包括: 于该氧化物区之两侧形成一间隙壁,且该间隙壁有 助于定义该重叠部分的量。 36.如申请专利范围第35项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该间隙壁包括一氮化矽间隙壁。 37.如申请专利范围第35项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该间隙壁包括一氧化物间隙壁。 38.如申请专利范围第34项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 之制造方法,更包括: 形成一氧化层于该浮置闸上; 形成一穿隧氧化层于该基底上;以及 形成一多晶矽闸于该穿隧氧化层及该氧化层上。 39.如申请专利范围第34项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该浮置闸因一汲极耦合度而抑制 一第二位元效应。 40.如申请专利范围第34项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该重叠部分介于0.01~0.1微米之间 。 41.如申请专利范围第34项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该重叠部分介于0.03~0.08微米之间 。 42.如申请专利范围第34项所述之在逆向读取操作 中具有第二位元效应抑制之局部分离浮置闸元件 的制造方法,其中该重叠部分为0.06微米。 图式简单说明: 图1绘示为一种具有二位元操作能力的传统浮置闸 氮化物唯读记忆胞之剖面图。 图2绘示依照本发明之一较佳实施例的量子线记忆 体元件(QWMD)之剖面图。 图3绘示依照本发明之一较佳实施例的多晶矽间隙 壁浮置闸元件之剖面图。 |
