| 主权项 |
1.一种光感测电路,包括: 一电流产生器,其包括产生一光电流之一发光二极 体,且该光电流系与入射光强度成比例及施加该光 电流至一第一节点; 一转换单元,其施加该光电流至一第二节点及一第 二储存电容器当一输出控制信号系在一第一状态; 以及 一电路稳定器,其施加该光电流至该第一节点及该 第二节点,并藉由该光电流之经由该第一节点而永 远形成该光电流之一回馈回路,其中该电路稳定器 系包括: 一第一电晶体,当一预定电流施加至该第二节点时 ,以响应输入该第一节点之光电流而形成该光电流 之回馈回路,当预定电流并不施加至该第二节点时 ,该回馈回路中断并使光电流流至该第一节点和第 二节点; 一第二电晶体,其响应输入该第一节点之光电流而 形成该光电流之回馈回路;以及 一连接至该第一和第二电晶体之第三电晶体,其提 供一电流路径以形成该回馈回路。 2.如申请专利范围第1项所述之光感测电路,其中该 电流产生器更包括至少一PNP电晶体,其包括一连接 至该发光二极体之一阴极,一连接至该第一节点之 射极和一连接至一接地电位之接触极,其中该PNP电 晶体将施加至该基极之光电流放大并将其输出至 该射极;以及 一连接至该第三电晶体之第一电晶体,其藉由光电 流流过该发光二极体之该阴极,基极和射极而形成 该回馈回路。 3.如申请专利范围第1项所述之光感测电路,其中该 转换单元包括 至少一PNP电晶体,当输出控制信号在该第一状态时 ,其可转换该光电流至该储存电容器,当输出控制 信号在该第二状态时,其可响应一电源而产生该预 定电流并流至该第二节点。 4.如申请专利范围第1项所述之光感测电路,其中该 第一至第三电晶体系NMOS电晶体; 该第一电晶体,包括一连接至该第二节点之汲极, 一连接至该第一节点之源极和一连接至该第二电 晶体的闸极之闸极; 该第二电晶体,它的汲极与一电源相连,而闸极与 该第一电晶体的该闸极相连,且源极与该第一节点 相连;以及 该第三电晶体,它的汲极与该第一电晶体和该第二 电晶体的闸极相连,而源极接地,且闸极与该该发 光二极体之该阴极相连。 5.如申请专利范围第I项所述之光感测电路,其中该 电路稳定器还包括 一第四电晶体,以增加该回馈回路的增益而更快稳 定该发光二极体之阴极电压。 6.如申请专利范围第5项所述之光感测电路,其中该 第一至该第四电晶体系NMOS电晶体; 该第一电晶体,包括一连接至该第二节点之汲极, 一连接至该第一节点之源极和一连接至该第二电 晶体的闸极之闸极; 该第二电晶体,它的汲极与该电源相连,而闸极与 该第一电晶体的该闸极相连,且源极与该第一节点 相连; 该第三电晶体,它的汲极与该第一电晶体和该第二 电晶体的闸极相连,而源极接地,且闸极与该该发 光二极体之该阴极相连;以及 该第四电晶体,它的汲极与该第一电晶体和该第二 电晶体的闸极相连,而源极与该第三电晶体之汲极 相连,且闸极与该第一电晶体和该第二电晶体的该 源极相连。 图式简单说明: 图1是关于现有技术中的光感测电路的示意图。 图2是关于本发明第一实施例的光感测电路的示意 图。 图3是关于本发明第二实施例的光感测电路的示意 图。 图4是关于本发明第三实施例的光感测电路的示意 图。 图5是关于本发明第四实施例的光感测电路的示意 图。 图6是关于本发明第五实施例的光感测电路的示意 图。 图7是关于本发明第六实施例的光感测电路的示意 图。 |
