| 主权项 |
1.一种分离式闸极快闪记忆胞的制造方法,包括: 提供一半导体基底; 依序形成一第一绝缘层、一第一导体层、一第二 绝缘层、一第二导体层、一顶盖层于该半导体基 底上方; 进行一第一蚀刻制程,移除部份该顶盖层、部份该 第二导体层以及部份该第二绝缘层,而露出该第一 导体层之部分表面,其中蚀刻后之该顶盖层、该第 二导体层、以及该第二绝缘层之侧壁为共平面; 分别形成一第一侧壁子与一第二侧壁子于蚀刻后 之该顶盖层、该第二导体层、以及该第二绝缘层 之二侧壁上; 进行一第二蚀刻制程,以该第一侧壁子与该第二侧 壁子为罩幕,移除部分该第一导体层与部分该第一 绝缘层,而露出该半导体基底之部分表面,其中蚀 刻后之该第一导体层与该第一绝缘层之侧壁为共 平面; 剥除该第一侧壁子与该第二侧壁子; 形成一第三绝缘层于蚀刻后之该第一导体层与该 第一绝缘层之侧壁、以及该半导体基底上;以及 形成一第三导体层于该第三绝缘层上。 2.如申请专利范围第1项所述之分离式闸极快闪记 忆胞的制造方法,其中该第一侧壁子与该第二侧壁 子的材质包括氮化矽。 3.如申请专利范围第1项所述之分离式闸极快闪记 忆胞的制造方法,其中该第三绝缘层的材料包括氧 化矽。 4.如申请专利范围第1项所述之分离式闸极快闪记 忆胞的制造方法,其中形成该第三绝缘层的方法包 括进行一化学气相沉积制程。 5.如申请专利范围第1项所述之分离式闸极快闪记 忆胞的制造方法,其中该第一导体层、该第二导体 层以及该第三导体层之材料包括多晶矽。 6.如申请专利范围第1项所述之分离式闸极快闪记 忆胞的制造方法,其中该第二绝缘层包括由氧化物 /氮化物/氧化物所组成之一叠层结构。 7.如申请专利范围第1项所述之分离式闸极快闪记 忆胞的制造方法,其中形成该第三绝缘层的方法包 括进行一热氧化制程。 8.一种分离式闸极快闪记忆胞,包括: 一半导体基底; 一第一绝缘层,置于该半导体基底上; 一浮动闸极,置于该第一绝缘层上,其中该浮动闸 极具有一第一宽度; 一第二绝缘层,置于该浮动闸极上; 一控制闸极,置于该第二绝缘层上; 一顶盖层,置于该控制闸极上,其中该顶盖层、该 控制闸极以及该第二绝缘层具有相同之一第二宽 度,其中该第二宽度小于该第一宽度; 一第三绝缘层,顺应性地置于该顶盖层、该控制闸 极、该第二绝缘层、该浮动闸极、以及该第一绝 缘层之侧壁;以及一抹除闸极,置于该第三绝缘层 上。 9.如申请专利范围第8项所述之分离式闸极快闪记 忆胞,其中该浮动闸极与该第一绝缘层具有相同之 该第一宽度。 10.如申请专利范围第8项所述之分离式闸极快闪记 忆胞,其中该顶盖层之材质包括氮化矽。 11.如申请专利范围第8项所述之分离式闸极快闪记 忆胞,其中该第一宽度与该第二宽度之差介于50至 400埃。 12.如申请专利范围第8项所述之分离式闸极快闪记 忆胞,其中该浮动闸极、该控制闸极以及该抹除闸 极之材料包括多晶矽。 13.如申请专利范围第8项所述之分离式闸极快闪记 忆胞,其中该第三绝缘层的材料包括氧化矽。 14.如申请专利范围第8项所述之分离式闸极快闪记 忆胞,其中该第二绝缘层包括由氧化物/氮化物/氧 化物所组成之一叠层结构。 15.一种分离式闸极快闪记忆胞的制造方法,包括: 形成一第一导体层于一基底上; 形成一第一绝缘层于该第一导体层上; 形成一第二导体层于该第一绝缘层上; 形成一图案化之顶盖层于该第二导体层上; 以该顶盖层为罩幕,移除部份该第二导体层与部份 该第一绝缘层,露出该第一导体层之部分表面; 形成一侧壁子于未被移除之该第二导体层与该第 一绝缘层之侧壁上; 以该侧壁子与该顶盖层为罩幕,移除部分该第一导 体层,露出该基底之部分表面; 移除该侧壁子; 顺应性地形成一第二绝缘层于未被移除之该第二 导体层与该第一绝缘层之侧壁、及未被移除之该 第一导体层之侧壁;以及 形成一第三导体层于该第二绝缘层上。 16.如申请专利范围第15项所述之分离式闸极快闪 记忆胞的制造方法,更包括进行一热氧化制程来处 理该第二绝缘层。 17.如申请专利范围第15项所述之分离式闸极快闪 记忆胞的制造方法,其中该侧壁子的材质包括氮化 矽。 18.如申请专利范围第15项所述之分离式闸极快闪 记忆胞的制造方法,其中该第二绝缘层的材质包括 氧化矽。 19.如申请专利范围第15项所述之分离式闸极快闪 记忆胞的制造方法,其中该第一导体层、该第二导 体层与该第三导体层的材质包括多晶矽。 20.如申请专利范围第15项所述之分离式闸极快闪 记忆胞的制造方法,其中该第一绝缘层包括由氧化 物/氮化物/氧化物所组成之一叠层结构。 图式简单说明: 第1~7图系绘示根据本发明一较佳实施例之分离式 闸极快闪记忆胞的制程剖面图。 第8图系绘示第7图所示之分离式闸极快闪记忆胞 的局部放大图。 |
