发明名称 发光装置之制造系统以及制造方法
摘要 提供了一种对EL材料具有很高的利用率并且薄膜的均匀度良好的蒸发装置。本发明是一种具有可行动蒸发源和基底旋转构件的蒸发装置,其中蒸发源支撑器与工件(基底)的距离减小到30cm或更小,20cm更好,5到15cm最好,以便提高对EL材料的利用率。在蒸发过程中,为了进行沈积,使蒸发源支撑器沿着X方向和Y方向行动并且使工件(基底)旋转。因此,提高了薄膜的均匀度。
申请公布号 TWI284487 申请公布日期 2007.07.21
申请号 TW092103806 申请日期 2003.02.24
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;村上雅一;大谷久
分类号 H05B33/10(2006.01) 主分类号 H05B33/10(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种制造系统,具有沈积装置,其中,蒸发材料从 位于基底对面的蒸发源蒸发,并沈积在基底上,该 系统包括: 一个薄膜形成室,在其中放置基底,该薄膜形成室 包括: 蒸发源; 用于移动蒸发源的装置;以及 用于旋转基底的装置, 其中,蒸发源被移动,同时基底被旋转以便沈积。 2.如申请专利范围第1项所述的制造系统,其中,蒸 发源与基底之间的距离为30cm或更小。 3.如申请专利范围第1项所述的制造系统,其中,薄 膜形成室与用于对薄膜形成室抽真空的真空帮浦 连接。 4.如申请专利范围第1项所述的制造系统,其中,蒸 发源至少沿X方向和Y方向的其中之一移动。 5.如申请专利范围第1项所述的制造系统,其中,蒸 发材料包括有机化合物材料。 6.如申请专利范围第1项所述的制造系统,其中,该 用于移动蒸发源的装置为蒸发源支撑器。 7.如申请专利范围第1项所述的制造系统,其中,该 用于旋转基底的装置是基底支撑器。 8.一种制造系统,具有沈积装置,该系统包括: 一个载入室; 一个与载入室连接的输送室;以及 一个与输送室连接的薄膜形成室, 其中,薄膜形成室包括: 一个蒸发源; 用于移动蒸发源的装置;以及 用于旋转基底的装置, 其中,蒸发源被移动,同时基底被旋转以便沈积。 9.如申请专利范围第8项所述的制造系统,其中,蒸 发源与基底之间的距离为30cm或更小。 10.如申请专利范围第8项所述的制造系统,其中,薄 膜形成室与用于对薄膜形成室抽真空的真空帮浦 连接。 11.如申请专利范围第8项所述的制造系统,其中,蒸 发源至少沿X方向和Y方向的其中之一移动。 12.如申请专利范围第8项所述的制造系统,其中,蒸 发材料包括有机化合物材料。 13.如申请专利范围第8项所述的制造系统,其中,该 用于移动蒸发源的装置为蒸发源支撑器。 14.如申请专利范围第8项所述的制造系统,其中,该 用于旋转基底的装置是基底支撑器。 15.一种制造系统,具有沈积装置,其中,至少一蒸发 材料从位于基底对面的蒸发源蒸发,并沈积在基底 上该系统包括: 一个薄膜形成室,在其中放置基底,该薄膜形成室 包括: 蒸发源; 用于移动蒸发源的装置;并且 其中,蒸发源沿着Z字形移动。 16.如申请专利范围第15项所述的制造系统,其中,蒸 发源与基底之间的距离为30cm或更小。 17.如申请专利范围第15项所述的制造系统,其中,薄 膜形成室与用于对薄膜形成室抽真空的真空帮浦 连接。 18.如申请专利范围第15项所述的制造系统,其中,蒸 发源至少沿X方向和Y方向的其中之一移动。 19.如申请专利范围第15项所述的制造系统,其中,蒸 发材料包括有机化合物材料。 20.如申请专利范围第15项所述的制造系统,其中,该 用于移动蒸发源的装置为蒸发源支撑器。 21.一种制造系统,具有沈积装置,该制造系统包括: 一个载入室; 一个与载入室连接的输送室;以及 一个与输送室连接的薄膜形成室, 其中,薄膜形成室包括: 一个蒸发源; 用于移动蒸发源的装置;并且 其中,蒸发源沿着Z字形移动。 22.如申请专利范围第21项所述的制造系统,其中,蒸 发源与基底之间的距离为30cm或更小。 23.如申请专利范围第21项所述的制造系统,其中,薄 膜形成室与用于对薄膜形成室抽真空的真空帮浦 连接。 24.如申请专利范围第21项所述的制造系统,其中,蒸 发源至少沿X方向和Y方向的其中之一移动。 25.如申请专利范围第21项所述的制造系统,其中,蒸 发材料包括有机化合物材料。 26.如申请专利范围第21项所述的制造系统,其中,该 用于移动蒸发源的装置为蒸发源支撑器。 27.一种发光装置的制造方法,该方法包括: 旋转基底并同时地相对于该基底移动蒸发源,以及 从该蒸发源蒸发一蒸发材料,以在薄膜形成室中将 包括有该蒸发材料的一层沈积在该基底上。 28.一种发光装置的制造方法,该方法包括: 从蒸发源蒸发至少一蒸发材料以及沿着Z字形并相 对于基底来移动该蒸发源,以在薄膜形成室中将包 括有该蒸发材料的一层沈积在该基底上。 29.一种发光装置的制造方法,该方法包括: 从蒸发源蒸发至少一蒸发材料,以及沿着X方向和Y 方向并相对于基底来倾斜地移动该蒸发源,或者是 沿着二维平面中的弧形形状并相对于基底来移动 该蒸发源,以在薄膜形成室中将包括有该蒸发材料 的一层沈积在该基底上。 30.如申请专利范围第27至29项中之任一项所述的发 光装置的制造方法,其中该蒸发材料包括有机化合 物。 31.如申请专利范围第27至29项中之任一项所述的发 光装置的制造方法,其中该蒸发源系以等加速度来 移动。 32.如申请专利范围第27至29项中之任一项所述的发 光装置的制造方法,其中该蒸发源在接近该基底的 一边缘部分是缓慢减速或加速。 33.如申请专利范围第1或8项所述的制造系统,其中 该蒸发源沿着垂直于该蒸发源支撑器的纵长方向 之方向而直线移动。 34.如申请专利范围第1或8项所述的制造系统,其中 该基底在该用于旋转基底的装置中之永久磁铁以 及包括金属的一遮罩间是固定的。 35.如申请专利范围第1或8项所述的制造系统,其中 在该蒸发源支撑器的纵长方向上之长度大于该基 板侧边的长度。 36.如申请专利范围第27项所述的发光装置的制造 方法,其中在该蒸发源支撑器的纵长方向上之长度 大于该基板侧边的长度。 图式简单说明: 图1A和1B表示出实施例1; 图2A和2B为说明例1的截面图; 图3表示出发光装置的顶视图; 图4A、4B和4C为说明例3的截面图; 图5表示出多室系统的制造系统(例4); 图6表示出移动蒸发源支撑器的一个例子; 图7表示出例5; 图8A和8B表示出在设置室中的坩埚传送; 图9A和9B表示出在设置室中传送到蒸发源支撑器的 坩埚;以及 图10表示出多室系统的制造系统(例7)。
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