| 主权项 |
1.一种适用于制造OLED装置之供体元件,包含: a)一供体载体基材; b)一吸光层,配置于该供体载体基材上,因应光而产 生热; c)一发光层,配置于该吸光层上;及 d)一电洞传输层,配置于该发光层上,当该供体元件 与该OLED装置系放置成转移关系且该吸光层吸收光 时,产生热使电洞传输材料及发光材料蒸发转移, 跨经一间隙到达该OLED装置。 2.如申请专利范围第1项之供体元件,其中该发光层 系包括主体材料及掺杂物。 3.如申请专利范围第2项之供体元件,其中该电洞传 输层系直接配置于该发光层上。 4.如申请专利范围第3项之供体元件,其中该电洞传 输层系具有由0.1奈米至5.0奈米范围内之厚度。 5.如申请专利范围第1项之供体元件,其中该电洞传 输层系为4,4'-双[N-(1-基)-N-苯胺基]联苯。 6.一种适用于制造OLED装置之供体元件,包含: a)一供体载体基材; b)一吸光层,配置于该供体载体基材上,因应光而产 生热; c)两层或多层发光层,配置于该吸光层上;及 d)一电洞传输层,配置于该等发光层上,当该供体元 件与该OLED装置系放置成转移关系且该吸光层吸收 光时,产生热使电洞传输材料及发光材料蒸发转移 ,跨经一间隙到达该OLED装置。 7.一种于制造OLED装置之方法中使用如申请专利范 围第1项之供体元件的方法,包括下列步骤: a)将该供体元件放置成与OLED基材成转移关系,且与 该OLED基材相隔一间隙;及 b)以光照射该供体元件,形成足量之热,使电洞传输 材料及发光材料个别沉积于该OLED基材上,该电洞 传输材料在介于该电洞传输与发光材料间之界面 上,混合于该发光材料中。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该光系由雷射 光源提供。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中该雷射光系来 自红外线雷射。 10.一种于制造OLED装置之方法中使用如申请专利范 围第6项之供体元件的方法,包括下列步骤: a)将该供体元件放置成与OLED基材成转移关系,且与 该OLED基材相隔一间隙;及 b)以光照射该供体元件,形成足量之热,使电洞传输 材料及发光材料个别沉积于该OLED基材上,该电洞 传输材料在介于该电洞传输与发光材料间之界面 上,混合于该发光材料中。 图式简单说明: 图1a出示本发明所制备之供体元件的结构之一具 体实例。 图1b出示本发明所制备之供体元件的结构之另一 具体实例。 图2a出示藉由一种光处理方法,将有机材料自供体 转移至基材之剖面视图。 图2b出示藉由另一种光处理方法,将有机材料自供 体转移至基材之剖面视图。 图3出示例示OLED装置之结构的剖面视图。 图4出示本发明所制备之基材的平面图。 |
