发明名称 导电性图案形成方法
摘要 本发明在于提供一种导电性图案之形成方法,其可更简便地制得导电性图案,该图案之厚度较厚,且线幅即使小于墨水之着墨径,亦不留着墨痕。其解决方法在于,拨液剂80于岸堤上面12e对水具有110°以上之高接触角,故对导电性液状材料11之接触角θ亦大。另一方面,岸场沟部20由于已呈亲水性,故到达基板10上之导电性液状材料11会受到来自配设于岸场上面12e之拨液剂80之压缩力,反之来自岸堤沟部20则是受到张力。因此,导电性液状材料11能够沿着岸场沟部20之沟,向同图案纸面之垂直方向之前后扩散。此外,当岸堤沟幅B大于液滴之大小D之情形时,能够更稳定地将导电性液状材料11收容于岸堤沟部20之中。
申请公布号 TWI284377 申请公布日期 2007.07.21
申请号 TW094137214 申请日期 2005.10.24
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 丰田直之
分类号 H01L21/603(2006.01);B41J3/407(2006.01) 主分类号 H01L21/603(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种导电性图案之形成方法,其特征在于包含: 于基板上形成岸堤之步骤;及 于前述岸堤之上面之一部分或全部涂布拨液剂之 步骤。 2.一种导电性图案之形成方法,其特征在于包含: 于基板上形成岸堤之步骤; 将前述基板及前述岸堤之一部分或全部进行亲水 化之步骤; 于前述岸堤之上面之一部分或全部涂布拨液剂之 步骤。 3.如请求项1或2之导电性图案之形成方法,其系使 前述拨液剂附着于与前述基板不同构件之原版构 件,藉由前述原版构件与前述基板上之前述岸堤之 上面接触,将前述拨液剂转印至前述岸堤之上面之 一部分或全部。 4.如请求项1或2之导电性图案之形成方法,其中前 述岸堤系利用光刻法、转印法或印刷法而形成。 5.如请求项1或2之导电性图案之形成方法,其中前 述岸堤之材质系无机材料或有机材料。 6.如请求项1或2之导电性图案之形成方法,其中前 述岸堤之高度系1m以上。 7.如请求项2之导电性图案之形成方法,其中将前述 基板及前述岸堤之一部分或全部进行亲水化之步 骤,包含臭氧氧化处理、电浆处理、电晕处理、紫 外线照射处理、电子束照射处理、酸处理、硷处 理中至少一者之处理。 8.如请求项3之导电性图案之形成方法,其中原版构 件系平板状或滚筒状。 9.如请求项3之导电性图案之形成方法,其中前述原 版构件之材质系至少包含矽氧烷构造之弹性体。 10.如请求项1或2之导电性图案之形成方法,其中前 述拨液剂系矽烷耦合剂或呈拨液性之高分子。 图式简单说明: 图1系基板及于该基板上形成岸堤之步骤之流程图 。 图2(a)~(f)系说明利用光刻法蚀刻岸堤膜而形成岸 堤之步骤之基板剖面图。 图3(a)、(b)系说明以转印法形成岸堤之步骤之基板 剖面图。 图4(a)~(c)系说明以印刷法蚀刻岸堤膜而形成岸堤 之步骤之基板剖面图。 图5系说明利用图1之流程图中之印刷法直接形成 岸堤之步骤(S102、S103)之基板剖面图。 图6(a)~(c)系说明以压凸法之印刷法直接形成岸堤 之步骤之基板剖面图。 图7(a)~(c)系说明以压印法之印刷法直接形成岸堤 之步骤之基板剖面图。 图8(a)~(e)系说明利用图1之流程图中之光刻法,蚀刻 基板而形成岸堤之步骤(S121、S124、S125)之基板剖 面图。 图9(a)~(d)系说明利用图1之流程图中之转印法,蚀刻 基板而形成岸堤之步骤(S122、S124、S125)之基板剖 面图。 图10(a)~(c)系说明利用图1之流程图中之印刷法,蚀 刻基板而形成岸堤之步骤(S123、S124、S125)之基板 剖面图。 图11(a)系制作平板状原版构件时之平面图,(b)系制 作平板状原版构件时之图11(a)之A-A剖面图,(c)系完 成之平板状原版构件之立体图。 图12(a)系已涂布拨液剂80之原版构件51之剖面图,(b) 系说明使涂布有拨液剂80之原版面54a与基板10之岸 堤上面12e接触,将原版面54a之拨液剂80转印至基板 10之岸堤上面12e之基板10及原版构件51之剖面图,(c) 系说明原版构件51从基板10之岸堤上面12e脱离,而 将拨液剂80转印至基板10之岸堤上面12e上之状态之 基板10之剖面图。 图13(a)系液滴喷头200整体之剖面立体图,(b)系喷出 部之详细剖面图。 图14(a)~(c)说明从液滴喷头200喷出之导电性液状材 料11与基板10之关系之剖面图。 图15(a)、(b)系说明制作滚筒状原版构件61之步骤之 平剖面图,(c)系从模框62取出之滚筒状原版构件61 之立体图。 图16系说明一边以压凸印刷法进行岸堤成型,一边 于必要岸堤膜12a之岸堤上面12e涂布拨液剂80之步 骤之基板剖面图。 图17(a)系说明配设用以搭载TFT之闸极电极之方法 之基板之部分平面图,(b)系基板之部分剖面图。
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