| 主权项 |
1.一种埋入式电子封装结构,包含有: 一第一金属板; 一第二金属板,设于该第一金属板之上表面,该第 二金属板系形成有至少一贯穿开口,且该第二金属 与该第一金属板系构成一散热基板; 至少一半导体晶片及至少一晶片式电容元件分别 接置于该第一金属板表面,而收纳于该第二金属板 所形成之该贯穿开口中; 一被动元件层,设置于该第二金属板之部分上表面 ;以及 至少一线路增层结构,设于该散热基板表面并覆盖 该半导体晶片、该晶片式电容元件与该被动元件 层。 2.如申请专利范围第1项之埋入式电子封装结构,其 中该半导体晶片与该晶片式电容元件另分别包含 有复数个电极垫形成于一主动面。 3.如申请专利范围第1项之埋入式电子封装结构,其 中该半导体晶片系为一主动元件,且该主动元件包 含记忆体、发光元件及积体电路晶片之其中一者 。 4.如申请专利范围第1项之埋入式电子封装结构,其 中该线路增层结构系包含有: 一第一介电层; 至少一形成于该第一介电层上之第一线路层;以及 至少一穿过该第一介电层以导接至该第一线路层 之导电盲孔,以使该线路增层结构得以透过该导电 盲孔电性连接至该晶片式电容元件、半导体晶片 及被动元件层。 5.如申请专利范围第4项之埋入式电子封装结构,另 包含有一防焊层,且该防焊层系形成于该线路增层 结构之外缘表面,并形成有复数个开孔以显露出部 分该第一线路层作为复数个电性连接垫。 6.如申请专利范围第4项之埋入式电子封装结构,其 中该线路增层结构系可电性连接该散热基板以达 成接地功能。 7.如申请专利范围第5项之埋入式电子封装结构,另 包含有至少一覆晶元件(Flip Chip, FC),设置于该线路 增层结构之外缘表面,并电性连接部分之该等电性 连接垫。 8.如申请专利范围第5项之埋入式电子封装结构,另 包含有至少一被动元件,设置于该线路增层结构之 外缘表面,并电性连接部分之该等电性连接垫。 9.如申请专利范围第1项之埋入式电子封装结构,其 中该被动元件层系为一高介电常数之介电材料层 且该介电材料层表面设置有至少一由一金属层所 构成之线路层。 10.如申请专利范围第9项之埋入式电子封装结构, 其中该金属层、该介电材料层及该第二金属板系 形成一金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-Metal, MIM)间 隔结构之电容。 11.如申请专利范围第1项之埋入式电子封装结构, 其中该散热基板未与该线路增层结构相接合之表 面另设置有至少一散热结构。 12.如申请专利范围第1项之埋入式电子封装结构, 其中该半导体晶片及该晶片式电容元件系可藉由 线路增层结构电性连接该散热基板以达成接地功 能。 图式简单说明: 第1图为本发明之较佳实施例中的埋入主动及被动 元件之埋入式电子封装结构剖视图。 第2图为本发明之第1图上设置覆晶元件之结构剖 视图。 第3图为本发明之第2图上设置被动元件之结构剖 视图。 |
