| 摘要 |
本发明为以降低TFT液晶显示装置之生产费用，而于4道光罩-制程之后推进向开发3道光罩-制程为目的。首先形成由低电阻金属层，与可使用蚀刻气体去除(护层绝缘层(passivation)与)闸绝缘层之耐热金属层经层合所形成之源极-汲极(Source-Drain)电路，且于至少赋予保护绝缘闸型电晶体之通道(channel)与讯号线之手段后，使用该截面形状为倒锥型形状之感光性树脂图型，而于包含闸绝缘层之绝缘层形成开口部，将前述开口部内所露出之低电阻金属层去除后，使前述感光性树脂图型作为举离(lift-off)材料，经由对画素电极用导电性薄膜层之举离而形成画素电极。如此，经由开口部之形成步骤，与开口部形成步骤之后的画素电极形成步骤下，即可省却使用1道光罩之半色调(half-tone)曝光技术下即可进行处理。 |
