非挥发性记忆体与半导体元件的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，此方法首先提供基底，并于基底上形成数个第一记忆胞。第一记忆胞自基底依序为第一复合层、第一导体层与顶盖层。第一记忆胞的侧壁形成有间隙壁。接着，于这些第一记忆胞之间形成数个第二记忆胞。第二记忆胞自基底起依序为第二复合层与第二导体层。然后，移除顶盖层。对第一导体层与第二导体层进行掺杂制程，并分别于第一导体层与第二导体层上形成一层金属矽化物层。利用此方法可降低第一记忆胞的热预算，并使第一记忆胞与第二记忆胞具有均一的电性。