非挥发性记忆体结构及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体结构，包括基底、第一记忆胞列、第一源极区/汲极区及第二源极区/汲极区。第一记忆胞列设置于基底上，第一记忆胞列包括多数个记忆胞、两个选择闸极结构及多数个掺杂区。选择闸极结构分别设置于这些记忆胞中最外侧的记忆胞之一侧的基底上，且选择闸极在远离记忆胞的一侧具有一个斜角。掺杂区分别设置于两个记忆胞之间的基底中及记忆胞与选择闸极结构之间的基底中。第一源极区/汲极区与第二源极区/汲极区分别设置于第一记忆胞列两侧之基底中。