半导体装置中具有减少泄漏电流之浅沟槽隔离结构之形成方法

摘要

一种用以针对一无次临界纽结半导体记忆体装置之制造一浅沟槽隔离结构之方法包括下列步骤：在一半导体基板之上面形成一氮化物-氧化物-氮化物-氧化物堆叠；在选择区域中蚀刻出浅沟槽及以一绝缘材料填充该等浅沟槽，以便该绝缘材料与上氮化层同高度；移除上氮化层；在一第一装置区域之上面沉积一保护材料；移除在一第二装置区域中之上氧化层；移除保护材料；移除在第二装置区域中之下氮化层；对整个装置实施一氧化蚀刻以移除在第一装置区域中之上氧化层及在第二装置区域中之下氧化层；移除在第一装置区域中之下氮化层及下氧化层。