非挥发性记忆体及其制造方法与操作方法

摘要

本发明提供一种非挥发性记忆体。第一元件隔离结构与第二元件隔离结构分别设置于基底中。第一浮置闸极与第二浮置闸极设置于第一元件隔离结构与第二元件隔离结构之间的基底上，且第一浮置闸极与第二浮置闸极彼此分离。第一掺杂区与第二掺杂区分别设置于第一浮置闸极与第二浮置闸极之外侧的基底中。第一掺杂区邻接第一元件隔离结构，且第二掺杂区邻接第二元件隔离结构。控制闸极设置于基底上，且覆盖第一浮置闸极与第二浮置闸极。