具有长闸极与高度密间距之场效电晶体(FET) FET DESIGN WITH LONG GATE AND DENSE PITCH

摘要

本发明揭露一互补金氧半导体场效电晶体(CMOS FET)设计配置及其制造方法，其提供一长闸极以及高度密间距(dense pitch)，其中闸极接触被直接置于该闸极之顶部，而源极及汲极接触被制成位在该FET之RX(主动矽半导体)区外之具有接触垫的接触CA条。