具有辐射结构和隔离效果的高电压和低导通阻抗LDMOS电晶体HIGH VOLTAGE AND LOW ON-RESISTANCE LDMOS TRANSISTOR HAVING RADIATION STRUCTURE AND ISOLATION EFFECT

摘要

根据本发明的一高电压LDMOS电晶体在一N型井的一延伸汲极区域中包括至少一P型场区块。P型场区块群在N型井中形成接面场区，用以使汲极区域与源极区域之间的寄生电容器的电容值均化，并在崩溃发生之前完全空乏漂移区。因而达到一较高的崩溃电压，并因此允许具有一较高掺杂密度的N型井。由于源极区域和P型场区块群将汲极区域围起，使得LDMOS电晶体具有自我隔离的效果。