| 摘要 |
本发明提供一种以CMOS为主的横向双极性电晶体及其制造方法。其系以一CMOS装置形成该以CMOS为主的横向双极性电晶体之基础。而系在一矽、SOI或SSOI基板上提供该CMOS装置，其包含一源极和汲极区、CMOS间隔物(9、10)及一遭移除的闸极电极。在该源极和汲极区中则配置一射极区(41)及一集极区(45)，且于邻接射极区(41)及该集极区(45)处提供一基极区(43)，其包含SiGe或p-型矽。该基极区(43)有一相对大的曝露区域，因其并不由该先前移除的闸极电极所覆盖。在该基极区(43)之曝露区域上提供一金属层(29)及一电接点(33)，则可藉而降低基极电阻。 |
