| 摘要 |
在知的构造中，源极区域与主体区域(背闸极区域)系接触共通的源极电极，无法个别控制源极区域与背闸极区域的电位。因此，将这种MOSFET用来作为双向切换元件的情形中，系将两个MOSFET串联连接，并藉由控制电路来执行MOSFET的导通/切断及寄生二极体的控制，而阻碍装置的小型化。本发明的解决手段系为设置接触源极区域的第1电极层及接触主体区域(背闸极)的第2电极层。第1电极层与第2电极层系为绝缘，并各自往与沟渠延伸方向之不同方向延伸。能个别施加电位至第1电极层及第2电极层，而可进行用以防止由寄生二极体所造成的逆流之控制。因此，能以一个MOSFET来实现双向切换元件。 |
