快闪记忆体的制造方法

摘要

一种快闪记忆体的制造方法。首先，提供已形成多个堆叠结构的基底。此堆叠结构从基底开始依序为穿隧介电层、第一导体层以及罩幕层。两个相邻的堆叠结构之间具有间隙。于堆叠结构之第一侧的基底中形成源极/汲极区。再于堆叠结构的侧壁形成绝缘间隙壁。继之，于堆叠结构之间形成闸介电层，并于闸介电层上形成辅助闸极，于辅助闸极上形成顶盖层。移除罩幕层后，于第一导体层上形成导体间隙壁，以形成第二导体层。于基底上形成闸间介电层与控制闸极后，图案化第二导体层，以形成浮置闸。