自动对准并平坦化之下电极相转换记忆体及其制造方法

摘要

本发明系揭露一种于一相转换随机存取记忆体PCRAM元件中用以将一下电极自动对准之方法，其中一上电极系作为此下电极于自动对准蚀刻时的遮罩。此下电极包括有一由化学机械研磨而平坦化之上表面。此上电极亦包括有一由化学机械研磨而平坦化之上表面。在后续制程中形成一介层窗之前，如氮化钛等之一下电极系形成于一基板上。一第一介电层系形成于此下电极之上，且一第二介电层系形成于此第一介电层之上。一介层窗系形成于一延伸经过此第一及第二介电层之选定区域中。