凹入式闸极电晶体元件的制作方法

摘要

本发明提供一种电晶体元件的制作方法，先于半导体基底中形成闸极沟渠；于沟渠侧壁上形成多晶矽/氮化矽侧壁子；再于沟渠底部上形成底部氧化层；随后去除多晶矽/氮化矽侧壁子；于沟渠侧壁上形成汲极/源极掺杂区；然后去除底部氧化层，以于闸极沟渠内形成弧形沟渠底部；于暴露出来的弧形沟渠底部上形成闸极介电层；最后于闸极沟渠填入闸极材料层。