接触窗与非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种接触窗的制造方法，此方法是先提供基底。此基底上已形成至少二个堆叠闸极结构，这二个堆叠闸极结构自基底而上至少包括介电层、导体层及至少一顶盖层。这些堆叠闸极结构侧壁上的顶盖层具有数个缺口。然后，于堆叠闸极结构之侧壁上形成数个间隙壁。间隙壁填满缺口。接着，于二间隙壁之间的基底上形成接触窗。由于此方法可以避免插塞连接堆叠闸极结构中的多晶矽闸极，因此可以增加包括记忆体的半导体元件的良率。