| 摘要 |
本发明之课题在于，于以往的半导体装置中系存在有，用以保护元件免于受到过电压的影响而设置之保护二极体的耐电压特性无法提升之问题。本发明之解决手段为一种半导体装置，于本发明之半导体装置中，系于基板(2)上的磊晶层(3)上构成有元件保护用的保护二极体(1)。于磊晶层(3)的表面上形成有萧特基阻障用金属层(14)，于萧特基阻障用金属层(14)的端部(20)之下方上形成有P型扩散层(9)。此外，从P型扩散层(9)开始往阴极区域侧，系形成有漂浮状态的P型扩散层(10、11)，并与施加有阳极电位之金属层(18)形成电容耦合。藉由此构造，可降低空乏层的曲率变化，而提升保护二极体1之耐电压特性。 |
