半导体装置多层结构及其制造方法,具有半导体装置多层结构之半导体装置,以及半导体装置制造方法

摘要

在一实施例中，本发明系关于一种半导体装置，其包括一半导体基板与一形成于该半导体基板上之掺杂导电层。一扩散障壁层形成于该掺杂导电层上。该扩散障壁层包括一非晶态半导体材料。在形成该扩散障壁层之后，可在其上另外执行一热处理制程。一欧姆接触层形成于该扩散障壁层之上。一金属障壁层形成于该欧姆接触层之上。一金属层形成于该金属障壁层之上。