发明名称 | 有机记忆体元件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种有机记忆体元件是由上电极、下电极以及一层位于上、下电极之间的双稳态高分子薄膜。而且,这种有机记忆体元件还具有一层表面处理层位于高分子薄膜与下电极之间。因为这层表面处理层可使高分子薄膜与下电极间形成稳定界面,所以能进一步提高元件可靠度。 | ||
申请公布号 | TW200727296 | 申请公布日期 | 2007.07.16 |
申请号 | TW095101034 | 申请日期 | 2006.01.11 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 张家杰;裴静伟;罗文妙 |
分类号 | G11C11/36(2006.01);H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | G11C11/36(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |