发明名称 以半导体量子点加强萤光效率之高分子发光二极体
摘要 本发明为提供可制成高分子发光二极体之奈米复材,而奈米复材是导入具表面改质之硫化镉(量子点)于树枝状聚茀发光高分子而形成,并可有效地提升萤光发光效率及电激光效率,制成发光二极体元件后亦能增加元件之稳定性及电性。
申请公布号 TW200726822 申请公布日期 2007.07.16
申请号 TW095100137 申请日期 2006.01.03
申请人 国立交通大学 发明人 韦光华;周嘉宏
分类号 C09K11/06(2006.01);H05B33/14(2006.01) 主分类号 C09K11/06(2006.01)
代理机构 代理人 欧奉璋
主权项
地址 新竹市东区大学路1001号