发明名称 闸式二极体非挥发记忆体细胞
摘要 一种具有电荷储存结构的闸极式二极体非挥发记忆体细胞,包含具有额外闸极端的二极体结构。例式的实施例包含独立的记忆体细胞、此类记忆体细胞之阵列、运作此记忆体细胞或记忆体细胞之阵列的方法及其制造方法。
申请公布号 TW200727298 申请公布日期 2007.07.16
申请号 TW095100533 申请日期 2006.01.05
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 廖意瑛;蔡文哲;叶致锴
分类号 G11C16/02(2006.01);G11C11/36(2006.01) 主分类号 G11C16/02(2006.01)
代理机构 代理人 李贵敏
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号