发明名称 | 闸式二极体非挥发记忆体细胞 | ||
摘要 | 一种具有电荷储存结构的闸极式二极体非挥发记忆体细胞,包含具有额外闸极端的二极体结构。例式的实施例包含独立的记忆体细胞、此类记忆体细胞之阵列、运作此记忆体细胞或记忆体细胞之阵列的方法及其制造方法。 | ||
申请公布号 | TW200727298 | 申请公布日期 | 2007.07.16 |
申请号 | TW095100533 | 申请日期 | 2006.01.05 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 廖意瑛;蔡文哲;叶致锴 |
分类号 | G11C16/02(2006.01);G11C11/36(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |