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发明名称
氧化物烧结体及其制造方法暨溅镀靶材及透明导电膜
摘要
本发明提供一种于作为溅镀靶材使用时,可获得从使用初期至末期为止皆稳定的溅镀放电,此外,可实现有机电激发光显示器及高精细液晶显示器等中所使用之Ra及Ry较小的透明导电膜之氧化物烧结体及其制造方法暨溅镀靶材及透明导电膜。本发明之氧化物烧结体系包含氧化铟且因应需要而包含氧化锡,并且包含氧化矽者,其相对密度为102%以上。
申请公布号
TW200726732
申请公布日期
2007.07.16
申请号
TW095135713
申请日期
2006.09.27
申请人
三井金属业股份有限公司
发明人
森中泰三;尾野直纪
分类号
C04B35/457(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01B5/14(2006.01)
主分类号
C04B35/457(2006.01)
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
日本
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