多晶矽层以及薄膜电晶体的制造方法

摘要

一种多晶矽层的制造方法，其先提供一基板，此基板具有正面与背面。接着，依序形成缓冲层、非晶矽层与顶盖层于基板之正面上。再来，图形化顶盖层而形成一图形化顶盖层，其暴露出部分非晶矽层，其中所暴露出之部分非晶矽层的区域是一结晶开始区域。继之，形成金属催化剂层于图形化顶盖层上，且金属催化剂层与结晶开始区域中之非晶矽层接触。之后，对基板之背面进行雷射加热制程，使非晶矽层自结晶开始区域结晶并转变成多晶矽层。此多晶矽层的制造方法可解决加热时间过长之问题。