半导体装置之制造方法、磁性记忆体之制造方法及其磁性记忆体

摘要

一种半导体装置之制造方法，首先形成一第一金属导线，续于第一金属导线上形成一半导体装置，并于半导体装置上形成一介电层，其中介电层中对应于该第一金属导线之位置形成有一接触窗。续在于接触窗中形成一金属插塞，此金属插塞可做为遮罩，以对半导体装置进行蚀刻，俾使蚀刻后之半导体装置会形成对应于该金属插塞之形状。透过本发明所揭露之制造方法，半导体装置将依照金属插塞的形状而形成，同时使得半导体装置与金属插塞完全对准。