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Ein erstes Gate-Dielektrikum eines ersten Transistors ist über einem Werkstück in einem ersten Bereich angeordnet und ein zweites Gate-Dielektrikum eines zweiten Transistors ist über dem Werkstück in einem zweiten Bereich angeordnet. Das zweite Gate-Dielektrikum umfasst ein zum ersten Gate-Dielektrikum verschiedenes Material. Ein erstes, einen ersten Dotierstoff umfassendes dotierstoffhaltiges Metall ist in vertieften Bereichen des Werkstücks benachbart zu dem ersten Gate-Dielektrikum angeordnet und ein zweites, einen zweiten Dotierstoff umfassendes dotierstoffhaltiges Metall ist in vertieften Bereichen des Werkstücks benachbart zu dem zweiten Gate-Dielektrikum angeordnet. Ein erstes, einen ersten Dotierstoff umfassendes Dotiergebiet ist in dem Werkstück angrenzend an das erste dotierstoffhaltige Metall angeordnet. Ein zweites, einen zweiten Dotierstoff umfassendes Dotiergebiet ist in dem Werkstück angrenzend an das zweite dotierstoffhaltige Metall angeordnet. Die dotierstoffhaltigen Metalle und die Dotiergebiete umfassen Source- und Drain-Gebiete des ersten und zweiten Transistors.
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