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发明名称
Nonvolitile Memory Device Comprising One Resistance Material and One Transistor
摘要
申请公布号
KR100738070(B1)
申请公布日期
2007.07.12
申请号
KR20040090124
申请日期
2004.11.06
申请人
发明人
分类号
H01L27/115
主分类号
H01L27/115
代理机构
代理人
主权项
地址
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