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经营范围
发明名称
Fabrication method of nitride-based semiconductor laser diode
摘要
申请公布号
KR100738079(B1)
申请公布日期
2007.07.12
申请号
KR20050098724
申请日期
2005.10.19
申请人
发明人
分类号
H01S5/30
主分类号
H01S5/30
代理机构
代理人
主权项
地址
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