发明名称
摘要 The present invention relates to a depletion or enhancement mode metal transistor in which the channel region of a transistor device comprises a thin film metal or metal composite layer formed over an insulating substrate.
申请公布号 JP2007519260(A) 申请公布日期 2007.07.12
申请号 JP20060551303 申请日期 2005.01.21
申请人 发明人
分类号 H01L29/786;H01L49/00 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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