Grabenisolationsstruktur mit unterschiedlicher Verspannung

摘要

Durch lokales Erwärmen von Isolationsgräben mit unterschiedlichen Ausheizbedingungen wird eine unterschiedliche Größe der intrinsischen Verspannung in unterschiedlichen Isolationsgräben erreicht. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird die unterschiedliche Ausheiztemperatur auf der Grundlage einer geeigneten Maskenschicht erreicht, die für eine strukturierte optische Antwort auf einen lampenbasierten oder laserbasierten Ausheizprozess sorgt. Folglich kann die intrinsische Verspannung von Isolationsgräben an die Erfordernisse von Schaltungselementen, etwa N-Kanaltransistoren und P-Kanaltransistoren, angepasst werden.