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Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines CMOS-Bildsensors bereitgestellt. Das Verfahren zur Herstellung eines Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-Bildsensors umfasst die Bereitstellung eines Halbleiter-Substrats, in dem ein Fotodioden-Bereich und ein Transistor-Bereich definiert sind, die sequentielles Bilden einer Isolierungs-Schicht und einer leitfähigen Schicht auf der gesamten Oberfläche des Halbleiter-Substrates, das Bilden eines Fotolack-Musters auf der leitfähigen Schicht, das Ätzen der leitfähigen Schicht auf eine festgelegte Dicke, wobei das Fotolack-Muster als Maske benutzt wird, die Durchführung eines Ionenimplantations-Prozesses auf der geätzten leitfähigen Schicht, um eine dotierte leitfähige Schicht zu bilden, die Durchführung eines Oxidationsprozesses auf der resultierenden Struktur, einschließlich der dotierten leitfähigen Schicht, um die dotierte leitfähige Schicht zu oxidieren und so eine Oxidschicht zu bilden, und das Entfernen der Oxidschicht und der darunter liegenden Isolierungs-Schicht, um eine Gate-Elektrode und eine Gate-Isolierungs-Schicht zu definieren.
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