| 摘要 |
<p>Verfahren zur Reinigung gesägter Siliciumscheiben, wobei man die Siliciumscheiben mit einer wässrigen, alkalischen Reinigungslösung in Kontakt bringt, die Tenside und Komplexbildner enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigungslösung mindestens enthält: a) Komplexbilder ausgewählt aus der Gruppe der organischen Phosphonsäuren mit mindestens zwei Phosphonsäuregruppen im Molekül oder deren Salzen, b) Polymer oder Copolymer aus einer oder mehreren olefinisch ungesättigten Carbonsäuren oder deren Salzen oder Estern, c) nichtionisches Tensid ausgewählt aus der Gruppe der Ethoxylate, Propoxylate und Ethoxylate/Propoxylate von Alkylalkoholen oder Alkylaminen mit 8 bis 22 C-Atomen in der Alkylgruppe, die insgesamt nicht mehr Ethoxy- und/oder Propoxy-Gruppen aufweisen, als C-Atome in der Alkylgruppe vorhanden sind; Alkalische wässrige Reinigungslösung, enthaltend: a) mindestens einen Komplexbilder ausgewählt aus der Gruppe der organischen Phosphonsäuren mit mindestens zwei Phosphonsäuregruppen im Molekül oder deren Salzen, b) mindestens ein Polymer oder Copolymer aus einer oder mehreren olefinisch ungesättigten Carbonsäuren oder deren Salzen oder Estern, d ) mindestens ein Ethoxylat eines Alkylalkohols mit 8 bis 12 C-Atomen im Alkylrest und 1 bis 5 Ethoxygruppen, c2) mindestens ein Ethoxylat/Propoxylat eines Alkylalkohols mit 8 bis 18 C-Atomen, vorzugsweise mit 10 bis 16 C-Atomen im Alkylrest und mit 1 bis 4 Ethoxygruppen und 2 bis 8 Propoxygruppen; wässriges Konzentrat in einer oder mehreren Fraktionen zur Herstellung einer entsprechenden Reinigungslösung.</p> |
