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Eine Halbleitervorrichtung weist ein Substrat (1, 1a, 2a, 2b, 3a, 4a, 5, 6, 8, 10, 11, T1, T2) mit einer ersten und einer zweiten Seite, einen IGBT (100i, 104i, 105i) und eine Diode (100d, 104d, 105d) auf. Das Substrat (1, 1a, 2a, 2b, 3a, 4a, 5, 6, 8, 10, 11, T1, T2) weist eine erste Schicht (1), eine zweite Schicht (2a) auf der ersten Schicht (1), einen n-leitenden Bereich (3a) der ersten Seite auf der zweiten Schicht (2a), einen n- und einen p-leitenden Bereich (5, 6) der zweiten Seite auf der zweiten Seite der ersten Schicht (1), eine erste Elektrode (8) als Gateelektrode in einem ersten Graben (T1), eine zweite Elektrode (10) als Emitterelektrode und als Anode auf dem n-leitenden Bereich (3a) der ersten Seite und in einem zweiten Graben (T2) und eine dritte Elektrode (11) als Kollektorelektrode und als Kathode auf den n- und p-leitenden Bereichen (5, 6) der zweiten Seite auf. Der erste Graben (T1) dringt durch den n-leitenden Bereich (3a) der ersten Seite und die zweite Schicht (2a) und erreicht die erste Schicht (1). Der zweite Graben (T2) dringt durch den n-leitenden Bereich (3a) der ersten Seite und erreicht die zweite Schicht (2a).
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