| 主权项 |
1.一种有机EL元件,其系于阳极与阴极之间,具备:含 有萤光掺杂剂之发光层、含有磷光掺杂剂之发光 层与含有双极层之有机层,并且该双极层系设置于 含有该萤光掺杂剂之发光层与含有该磷光掺杂剂 的发光层之间。 2.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中该双极 层含有电洞输送性材料与电子输送性材料。 3.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中该双极 层之膜厚为2nm以上、15nm以下。 4.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中该电洞 输送性材料最高的占分子轨道(HOMO)能量位准之绝 对値较该电子输送性材料最高的占分子轨道能量 位准之绝对値为小。 5.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中该电洞 输送性材料最低的非占分子轨道(LUMO)能量位准之 绝对値较该电子输送性材料最低的非占分子轨道 能量位准之绝对値为小。 6.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中该电洞 输送性材料之玻璃转移温度较该电子输送性材料 之玻璃转移温度为高。 7.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中含有该 萤光掺杂剂之发光层较含有该磷光掺杂剂之发光 层设置于更接近阴极侧。 8.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中该萤光 掺杂剂为蓝色萤光掺杂剂。 9.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中该磷光 掺杂剂为红色磷光掺杂剂。 10.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中该磷光 掺杂剂为绿色磷光掺杂剂。 11.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中含有该 磷光掺杂剂之发光层含有红色磷光掺杂剂与绿色 磷光掺杂剂。 12.如申请专利范围第11项之有机EL元件,其中该红 色磷光掺杂剂之含量较该绿色磷光掺杂剂之含量 为少。 13.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中含有该 萤光掺杂剂之发光层膜厚较含有该磷光掺杂剂之 发光层膜厚为厚。 14.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中该有机 层更含有一电洞输送层,其含有与该双极层之电洞 输送性材料同样的材料。 15.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中该有机 层更含有一电子输送层,其含有与该双极层之电子 输送性材料同样的材料。 16.如申请专利范围第1项之有机EL元件,其中该双极 层含有具备较该磷光掺杂剂之三重态能量间隙为 大的三重态能量间隙之材料。 17.如申请专利范围第2项之有机EL元件,其中相对于 该双极层,含有该电子输送性材料5重量%以上、95 重量%以下。 图式简单说明: 第1图系为了说明有关本发明之有机EL元件层构造 例的横剖面图。 |
