| 主权项 |
1.一种同时控制在多重记忆体装置处之资料操作 之系统,其包含: 一第一快闪记忆体元件,其具有一第一介面及一第 一控制介面,该第一控制介面包括一第一晶片致能 控制输入端; 一第二快闪记忆体元件,其具有一第二介面及一第 二控制介面,该第二控制介面包括一第二晶片致能 控制输入端; 一控制器,其包括一资料输出端及一控制讯号输出 端,该资料输出端之一第一部分耦接至该第一快闪 记忆体元件之该第一介面,该资料输出端之一第二 部分耦接至该第二快闪记忆体元件之该第二介面, 其中该控制讯号输出端包括耦接至该第一晶片致 能控制输入端及该第二晶片致能控制输入端两者 之一晶片致能输出端,且其中,该第一快闪记忆体 元件及该第二快闪记忆体元件皆经组态以同时接 收自该资料输出端传达至该第一介面及该第二介 面之输入资料。 2.如请求项1之系统,其中该输入资料包括指令及位 址资料。 3.如请求项1之系统,其中该控制器系一微处理器, 其包括直接记忆体存取逻辑及随机存取记忆体。 4.如请求项3之系统,其中该直接记忆体存取逻辑经 由该资料输出端之该第一部分起始一连串指令、 位址及一第一资料部分之通信,且其中该直接记忆 体存取逻辑经由该资料输出端之该第二部分发出 相同的一连串指令及位址,而连同一第二资料部分 。 5.如请求项4之系统,其中该一连串指令及位址同时 传达至该第一介面及该第二介面。 6.如请求项1之系统,其进一步包含一耦接至该控制 器之通用串列滙流排,且其中该通用串列滙流排具 有一比该资料输出之该速度高的通信速度。 7.如请求项1之系统,其中该第一快闪记忆体元件系 一8位元NAND型快闪记忆体,且其中该第二快闪记忆 体元件系一8位元NAND型快闪记忆体。 8.如请求项1之系统,其进一步包含: 一第三快闪记忆体元件,其具有一第三介面及一第 三控制介面,该第三控制介面包括一第三晶片致能 控制输入端;以及 一第四快闪记忆体元件,其具有一第四介面及一第 四控制介面,该第四控制介面包括一第四晶片致能 控制输入端; 其中该晶片致能输出端耦接至该第三晶片致能控 制输入端以及该第四晶片致能控制输入端。 9.如请求项8之系统,其中该第一快闪记忆体元件、 该第二快闪记忆体元件、该第三快闪记忆体元件 以及该第四快闪记忆体元件中的每一个皆系一8位 元快闪记忆体元件。 10.一种与多个记忆体元件通信之方法,该方法包含 : 在一第一时间段期间,向一第一记忆体元件之一第 一输入端发送指令资料,同时向一第二记忆体元件 之一第二输入端发送该指令资料; 在一第二时间段期间,向该第一记忆体元件之该第 一输入端发送位址资料,同时向该第二记忆体元件 之该第二输入端发送该位址资料;及 在一第三时间段期间,向该第一记忆体元件之该第 一输入端发送待储存在由该位址资料所指定的一 位址处之一第一资料项,同时向该第二记忆体元件 之该第二输入端发送待储存在由该位址资料所指 定的该位址处之一第二资料项。 11.如请求项10之方法,其中该第一记忆体元件及该 第二记忆体元件系非挥发性记忆体元件。 12.如请求项10之方法,其中该第一记忆体元件及该 第二记忆体元件系固态记忆体元件。 13.如请求项10之方法,其中该第三时间段系在该第 二时间段之后,且该第二时间段系在该第一时间段 之后。 14.如请求项10之方法,其进一步包含向该第一记忆 体元件之一第一控制输入端传达一共同控制讯号, 同时向该第二记忆体元件之一第二控制输入端传 达该共同控制讯号。 15.如请求项10之方法,其中该第一资料项对应于源 自一外部资料源之资料的一第一区段,且其中该第 二资料项对应于源自该外部资料源之资料的一第 二区段。 16.一种储存一资料字之电脑实施方法,该方法包含 : 自一记忆体控制器处之一资料滙流排接收该资料 字; 在一第一非挥发性记忆体元件中的一位址储存该 资料字之一第一部分;及 在储存该资料字之该第一部分的同时,在一第二非 挥发性记忆体元件中的该位址储存该资料字之一 第二部分。 17.如请求项16之方法,其进一步包含经由一与该第 一非挥发性记忆体元件及该第二非挥发性记忆体 元件相连接之控制线发送一控制讯号至该第一非 挥发性记忆体元件及该第二非挥发性记忆体元件 。 18.如请求项16之方法,其中储存该资料字之该第一 部分包括经由一第一组资料线发送该位址至该第 一非挥发性记忆体元件且经由该第一组资料线发 送该资料字之该第一部分至该第一非挥发性记忆 体元件。 19.如请求项18之方法,其中储存该资料字之该第二 部分包括经由一第二组资料线发送该位址至该第 二非挥发性记忆体元件且经由该第二组资料线发 送该资料字之该第二部分至该第二非挥发性记忆 体元件。 20.如请求项19之方法,其中发送该位址至该第一非 挥发性记忆体元件与发送该位址至该第二非挥发 性记忆体元件系同时执行的。 21.如请求项19之方法,其中发送该第一部分与发送 该第二部分系在共同时间段期间执行。 22.如请求项19之方法,其中该资料滙流排之该资料 传送率比该第一组资料线之该资料传送率大,且比 该第二组资料线之该资料传送率大。 23.如请求项19之方法,其中该第一组资料线及该第 二组资料线包含一与该记忆体控制器相连之一平 行介面。 24.如请求项16之方法,其进一步包含: 自该第一非挥发性记忆体元件撷取该资料字之该 第一部分;及 在撷取该资料字之该第一部分的同时自该第二非 挥发性记忆体元件撷取该资料字之该第二部分,以 形成该资料字。 25.如请求项16之方法,其中该第一非挥发性记忆体 元件及该第二非挥发性记忆体元件系固态记忆体 元件。 26.如请求项16之方法,其中该第一非挥发性记忆体 元件及该第二非挥发性记忆体元件系快闪记忆体 元件。 27.如请求项26之方法,其中该等快闪记忆体元件系 NAND型快闪记忆体元件。 28.如请求项16之方法,其中该资料滙流排系一通用 串列滙流排。 29.一种同时控制在多重记忆体装置处之资料操作 之系统,其包含: 一控制器,其耦接至一记忆体滙流排,该记忆体滙 流排系配置以传达具有一第一字长之资料; 一第一非挥发性记忆体元件,其可由该控制器存取 并经组态以储存具有一第二字长之资料; 一第二非挥发性记忆体元件,其可由该控制器存取 并经组态以储存具有一第三字长之资料; 其中,该第一字长比该第二字长大,且比该第三字 长大;且 其中,对于一具有该第一字长之资料字,该控制器 系配置以启始在该第一非挥发性记忆体元件中之 该资料字的一第一部分与在该第二非挥发性记忆 体元件中之该资料字的一第二部分之同时储存。 30.如请求项29之系统,其中该第二字长与该第三字 长之总和等于该第一字长。 图式简单说明: 图1及图2为说明例示性记忆体储存系统之方块图 。 图3为说明一例示性资料字之一图。 图4、图5及图6为说明记忆体系统内所使用之例示 性方法之流程图,如图1及图2中所例示。 图7为一说明一例示性资料通讯之一图。 |
