| 主权项 |
1.一种提高亮度的发光组件,系包括有放出短波光 之发光体及外罩体,该发光体前侧设有一发光体罩 盖,而外罩体系至少罩盖于发光体之发光体罩盖另 侧,并在相对于发光体设置有发光体罩盖的另侧之 外罩体上设有主要可见光源,其特征在于: 该发光体罩盖系为一反光层,其具有复数个孔洞, 并设有遮盖该孔洞的萤光/磷光涂剂; 该主要可见光源系包括一反光层与一萤光/磷光涂 剂,该反光层系设置于外罩体上,而该萤光/磷光涂 剂系涂设于反光层相对于外罩体的另侧。 2.如申请专利范围第1项所述之发光组件,其中该短 波光为波长200-400nm的紫外光。 3.如申请专利范围第1项所述之发光组件,其中该短 波光为波长400-530nm的蓝光。 4.如申请专利范围第1项所述之发光组件,其中该发 光体为灯管。 5.如申请专利范围第1项所述之发光组件,其中该发 光体为发光二极体的晶片。 6.如申请专利范围第4项所述之发光组件,其中该外 罩体为一管状外罩体,而该发光体为一设置于管状 外罩体内部的灯管。 7.如申请专利范围第4项所述之发光组件,其中该外 罩体为一箱体外罩体,而该发光体为一设置于箱体 外罩体内的灯管。 8.如申请专利范围第4项所述之发光组件,其中该外 罩体为一实心透明基座,而该发光体为一设置于该 透明基座上的灯管。 9.如申请专利范围第4项所述之发光组件,其中该外 罩体为一空心透明基座,而该发光体为一设置于该 透明基座上的灯管。 10.如申请专利范围第5项所述之发光组件,其中该 外罩体为一实心透明基座,而该发光体为一设置于 该透明基座上的发光二极体之晶片。 11.如申请专利范围第5项所述之发光组件,其中该 外罩体为一空心透明基座,而该发光体为一设置于 该透明基座上的发光二极体之晶片。 12.如申请专利范围第5项所述之发光组件,其中该 外罩体为一具凹陷结构之透明基座,其具有复数个 支架交错设置于基座上,而该发光体为一设置于该 支架上的发光二极体之晶片。 13.如申请专利范围第1至12项任一项所述之发光组 件,其中该发光体罩盖之具孔洞的反光层系设置在 发光体上,而萤光/磷光涂剂系设置于发光体上并 相对于孔洞的位置。 14.如申请专利范围第1至12项任一项所述之发光组 件,其另外设有一位于发光体罩盖之具孔洞的反光 层外侧,且涂布有萤光/磷光的透明涂剂罩盖。 15.如申请专利范围第1至12项任一项所述之发光组 件,其另外设有一位于发光体罩盖之具孔洞的反光 层内侧,且涂布有萤光/磷光的透明涂剂罩盖。 16.如申请专利范围第13项所述之发光组件,其另外 设有防止多余的短波光照射到人体之透明短波光 吸收罩盖,该短波光吸收罩盖系设在该外罩体的外 侧且相对于主要可见光源另侧。 17.如申请专利范围第14项所述之发光组件,其另外 设有防止多余的短波光照射到人体之透明短波光 吸收罩盖,该短波光吸收罩盖系设在该外罩体的外 侧且相对于主要可见光源另侧。 18.如申请专利范围第15项所述之发光组件,其另外 设有防止多余的短波光照射到人体之透明短波光 吸收罩盖,该短波光吸收罩盖系设在该外罩体的外 侧且相对于主要可见光源另侧。 19.如申请专利范围第6至9项任一项所述之发光组 件,其另外设有电极遮盖体,该电极遮盖体系萤光/ 磷光涂层,并分别环设于灯管发光体的端部以遮盖 灯管内的电极。 20.如申请专利范围第6项所述之发光组件,其另外 设有电极遮盖体,该电极遮盖体系为萤光/磷光涂 层,并分别环设于管状外罩体的端部以遮盖灯管内 的电极。 图式简单说明: 第一图系本创作第一实施型态之立体剖面图。 第二图系本创作第二实施型态之部分立体剖面图 。 第三图系本创作第三实施型态之端部剖面图。 第四图系本创作第四实施型态之立体图。 第五图系本创作第五实施型态之立体图。 第六图系本创作第一实施例之端部剖面图。 第七图系本创作第二实施例之部分剖面侧视图。 第八图系习用发光组件之立体剖面图。 第九图系习用发光组件之端部剖面图。 第十图系习用发光组件之一实施型态立体图。 第十一图系习用发光组件之另一实施型态立体图 。 |
