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1.一种对选定之双导体自旋阀记忆体(SVM)晶胞执行 热辅助式写入作业之方法,该SVM晶胞具有一资料层 于一材料中呈现一可变更的磁化定向,其在低于一 临界温度提供一稳定的定向与高矫顽磁性,及在高 于一临界温度提供一可变更的定向与低矫顽磁性, 该方法包含有下列步骤: 施用一第一电压电位至一第一导体之一第一端部; 施用一第二电压电位至一第一导体之一第二端部; 该第二电压电位比该第一电压电位高,使得一第一 电流在该第一导体中流动而提供一第一写入磁场; 施用一第三电压电位至一第二导体之一第一端部, 该第三电压电位比该第一电压电位小; 施用一第四电压电位至一第二导体之一第二端部, 该第四电压电位比该第一电压电位小,且不等于该 第三电压电位,使得一第二电流在该第二导体中流 动而提供一第二写入磁场; 用由该第一导体通过该SVM晶胞流动至该第二导体 而由该第一导体之高电位至该第二导体之低电位 的一加热电流将该SVM晶胞加热至一临界温度,该SVM 晶胞具有一电阻性质而对该SVM晶胞提供内部自我 加热;以及 将该SVM晶胞之磁化定向,该被组合之第一与第二写 入磁场大于该被加热之SVM晶胞的矫顽磁性,使得该 资料层之磁化定向可被改变以与该等被施用之第 一与第二写入磁场对准。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该资料层 具有一难轴以与一易轴成横越关系地被定向,该第 一导体与该易轴平行,使得该第一写入磁场在作业 中沿着该难轴被施用。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该资料层 具有一难轴以与一易轴成横越关系地被定向,该第 二导体与该难轴平行,使得该第二写入磁场在作业 中沿着该易轴被施用。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等四个 被施用之电压电位至少有三个高于一接地电位。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等第一 、第二、第三与第四电压电位同时期地被施用。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该SVM晶胞 之加热以与该等第一及第二写入磁场之施用至该 SVM晶胞同时期地发生。 7.一种对选定之双导体自旋阀记忆体(SVM)晶胞执行 热辅助式写入作业之方法,该SVM晶胞于一材料中呈 现一可变更的磁化定向,其在低于一临界温度提供 一稳定的定向与高矫顽磁性,及在高于一临界温度 提供一可变更的定向与低矫顽磁性,该方法包含有 下列步骤: 施用一第一写入电流使其在一第一导体中流动以 提供一第一写入磁场,该第一写入电流系藉由提供 一第一电压电位至该第一导体之一第一端部及一 第二电压电位至该第一导体之一第二端部而建立; 施用一第二写入电流使其在一第二导体中流动以 提供一第二写入磁场,该第二写入电流系藉由提供 一第三电压电位至该第二导体之一第一端部及一 第四电压电位至该第二导体之一第二端部而建立, 该等第三与第四电压电位小于该等第一与第二电 压电位的其中之一,使得该第一导体具有比该第二 导体高的一电压电位; 用由该第一导体通过该SVM晶胞流动至该第二导体 而由该第一导体之高电位至该第二导体之低电位 的一加热电流将该SVM晶胞加热至一临界温度以上, 该SVM晶胞具有一电阻性质而对该SVM晶胞提供内部 自我加热;以及 将该SVM晶胞之磁化定向,该被组合之第一与第二写 入磁场大于该被加热之SVM晶胞的矫顽磁性,使得该 SVM晶胞之磁化定向可被改变以与该等被施用之第 一与第二写入磁场对准。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该SVM晶胞 具有一难轴以与一易轴成横越关系地被定向,该第 一导体与该易轴平行,使得该第一写入磁场在作业 中沿着该难轴被施用。 9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该SVM晶胞 具有一难轴以与一易轴成横越关系地被定向,该第 二导体与该难轴平行,使得该第二写入磁场在作业 中沿着该易轴被施用。 10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该等四 个被施用之电压电位至少有三个高于一接地电位 。 11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该等第 一、第二、第三与第四电压电位同时期地被施用 。 12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该SVM晶 胞之加热以与该等第一及第二写入磁场之施用至 该SVM晶胞同时期地发生。 图式简单说明: 第1A与1B图显示一习知技艺之具有二导体的磁性记 忆体细胞之透视图; 第2图提供依据一实施例用于写入之一个二导体自 旋阀记忆体(SVM)细胞组的部份透视图; 第3图提供第2图之二导体SVM细胞之一交叉点阵列 的一概念图; 第4图提供一流程图显示用于一个二导体SVM细胞热 辅助式写入过程之步骤; 第5图提供在第2图中之SVM细胞进行第4图所设立之 写入作业的部份透视图; 第6A与6B图提供显示在一写入作业之际依据一实施 例被施用的相对电压电位之图;以及 第7A与7B图提供显示在第4图之作业被导向之电压 电位的施用与去除的图。 |
