| 主权项 |
1.一种发光装置,其包含: 一基板; 一第一导电类型层,覆盖于该基板上; 一下限制层,覆盖于该第一导电类型层上,该下限 制层包含InxGa1-xN,其中0≦x≦0.15; 一间隔层,覆盖于该下限制层上; 一主动区,覆盖于该间隔层上,该主动区包含: 一量子井层;以及 一阻障层,其包含铟; 一覆盖层,覆盖于该主动区上; 一上限制层,覆盖于该覆盖层上,该上限制层包含 InxGa1-xN,其中0≦x≦0.15;以及 一第二导电类型层,覆盖于该覆盖层上; 其中该间隔层与该覆盖层其中之一包含铟。 2.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该阻障层 系InGaN,其包含铟成分介于1%与大约15%之间。 3.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该阻障层 系InGaN,其包含铟成分介于1%与大约5%之间。 4.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该阻障层 系以第一导电类型之掺杂物,掺杂至浓度介于1015 cm-3与大约1019cm-3之间。 5.如申请专利范围第1项之发光元件,其中: 该阻障层之厚度,介于20埃与大约250埃之间; 该量子井层具有铟成分介于大约4%与大约25%之间; 该量子井层之厚度,介于大约10埃与大约60埃之间 。 6.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该阻障层 、该间隔层以及该覆盖层之铟成分,均比该量子井 层之铟成分低。 7.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该下限制 层包含InxGa1-xN,其中0≦x≦0.02。 8.如申请专利范围第1之发光元件,其中该下限制层 系以第一导电类型之掺杂物,掺杂至浓度介于1015 cm-3与大约1022cm-3之间。 9.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该下限制 层之厚度介于大约50与大约20,000埃之间。 10.如申请专利范围第1项之发光元件,其中: 该下限制层具有一第一铟成分; 该间隔层具有一第二铟成分; 该量子井层具有一第三铟成分; 该第三铟成分大于该第二铟成分;以及 该第二铟成分大于或等于该第一铟成分。 11.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该上限 制层包含InxGa1-xN,其中0≦x≦0.02。 12.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该上限 制层系以第二导电类型之掺杂物,掺杂至浓度介于 1015 cm-3与大约1022cm-3之间。 13.如申请专利范围第12项之发光元件,其中该掺杂 物包含Mg。 14.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该上限 制层之厚度介于大约50与20,000埃之间。 15.如申请专利范围第1项之发光元件,其中: 该上限制层具有一第一铟成分; 该履盖层具有一第二铟成分; 该量子井层具有一第三铟成分; 该第三铟成分大于该第二铟成分;以及 该第二铟成分大于或等于该第一铟成分。 16.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该覆盖 层包含InxGa1-xN,其中0≦x≦0.15。 17.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该间隔 层包含InxGa1-xN,其中0≦x≦0.15。 18.如申请专利范围第1项之发光元件,其中: 该下限制层系GaN; 该间隔层系GaN; 该阻障层系In0.03Ga0.97N; 该量子井层系In0.15Ga0.85N; 该覆盖层系In0.03Ga0.97N;以及 该上限制层系GaN。 19.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该覆盖 层、该上限制层、该下限制以及该间隔层至少其 中之一,包含一分级之铟成分。 20.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该覆盖 层系以第二导电类型之掺杂物,掺杂至浓度介于 1015 cm-3与大约1021cm-3之间。 21.如申请专利范围第1项之发光元件,其中该间隔 层系以第一导电类型之掺杂物,掺杂至浓度介于 1015 cm-3与大约1021cm-3之间。 图式简单说明: 图1说明一种先前技艺之第三族氮化物发光二极体 (LED)。 图2说明一种具有AlGaN限制层装置之能带图。 图3说明根据本发明之一种LED。 图4说明根据本发明装置之能带图。 图5说明一种制造LED之方法。 图6系示于图4中装置之效率对电流密度曲线图。 |
