| 主权项 |
1.一种抗蚀图案加厚材料,包括: 树脂; 交联剂;及 至少一种选自阳离子界面活性剂、两性界面活性 剂及非离子界面活性剂之界面活性剂,而其中非离 子界面活性剂系选自烷氧基化合物界面活性剂、 脂肪酸酯系界面活性剂、醯胺系界面活性剂、有 单键结或双键结醇系界面活性剂和乙二胺系界面 活性剂。 2.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,其中 ,该阳离子界面活性剂为烷基阳离子界面活性剂、 醯胺四级阳离子界面活性剂及酯四级阳离子界面 活性剂之至少一种。 3.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,其中 ,该两性界面活性剂为氧化胺界面活性剂及甜菜硷 界面活性剂之至少一种。 4.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,其中 ,该烷氧基化合物界面活性剂为壬基酚乙氧基化合 物界面活性剂、辛基酚乙氧基化合物界面活性剂 、月桂醇乙氧基化合物界面活性剂、油醇乙氧基 化合物界面活性剂及二级醇乙氧基化合物界面活 性剂之至少一种。 5.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,其中 ,该抗蚀图案加厚材料具有水溶性及硷溶性之至少 一种。 6.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,其中 ,该树脂为聚乙烯醇、聚乙烯缩醛及聚乙烯乙酸酯 之至少一种。 7.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,其中 ,该树脂含有含量为5质量%至40质量%的聚乙烯缩醛 。 8.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,其中 ,该交联剂为三聚氰胺衍生物、衍生物及联衍 生物之至少一种。 9.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,复包 括水溶性芳香族化合物。 10.如申请专利范围第9项之抗蚀图案加厚材料,其 中,该水溶性芳香族化合物在100克25℃水中的溶解 度为1克或更多。 11.如申请专利范围第9项之抗蚀图案加厚材料,其 中,该水溶性芳香族化合物具有至少两个极性基。 12.如申请专利范围第11项之抗蚀图案加厚材料,其 中,该极性基系各自分别选自羟基、羧基及羰基。 13.如申请专利范围第9项之抗蚀图案加厚材料,其 中,该水溶性芳香族化合物为多酚化合物、芳香族 羧酸化合物、多羟基化合物、二苯基酮化合物 、类黄酮化合物、其衍生物及其醣之至少一种 。 14.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,复 包括其一部分含有芳香族化合物之树脂。 15.如申请专利范围第14项之抗蚀图案加厚材料,其 中,其一部分含有芳香族化合物之树脂为聚乙烯芳 基缩醛树脂、聚乙烯芳基醚树脂及聚乙烯芳基酯 树脂之至少一种。 16.如申请专利范围第14项之抗蚀图案加厚材料,其 中,其一部分含有芳香族化合物之树脂中的芳香族 化合物具有羟基、胺基、磺醯基、羧基及其衍生 物之至少一种官能基。 17.如申请专利范围第14项之抗蚀图案加厚材料,其 中,其一部分含有芳香族化合物之树脂具有乙醯基 。 18.如申请专利范围第14项之抗蚀图案加厚材料,其 中,其一部分含有芳香族化合物之树脂中的芳香族 化合物之莫耳含量为5莫耳%或更多。 19.如申请专利范围第1项之抗蚀图案加厚材料,复 包括有机溶剂。 20.如申请专利范围第19项之抗蚀图案加厚材料,其 中,该有机溶剂为醇溶剂、链状酯溶剂、环状酯溶 剂、酮溶剂、链状醚溶剂及环状醚溶剂之至少一 种。 21一种抗蚀图案,包括: 抗蚀图案加厚材料,其系覆盖欲加厚之抗蚀图案表 面,以便加厚该欲加厚之抗蚀图案, 其中在形成欲加厚之抗蚀图案后,将该抗蚀图案加 厚材料涂敷至该欲加厚之抗蚀图案上,而该抗蚀图 案加厚材料包括: 树脂; 交联剂;及 至少一种选自阳离子界面活性剂、两性界面活性 剂及非离子界面活性剂之界面活性剂,而其中非离 子界面活性剂系选自烷氧基化合物界面活性剂、 脂肪酸酯系界面活性剂、醯胺系界面活性剂、有 单键结或双键结之醇系界面活性剂和乙二胺系界 面活性剂。 22.如申请专利范围第21项之抗蚀图案,其中,该抗蚀 图案之材料为酚醛清漆阻剂、聚羟基苯乙烯(PHS) 阻剂、丙烯酸阻剂、环烯烃-顺丁烯二酸酐阻剂、 环烯烃阻剂及环烯烃-丙烯基混成阻剂之至少一种 。 23.一种形成抗蚀图案之方法,包括: 在形成欲加厚之抗蚀图案后,将抗蚀图案加厚材料 涂敷至欲加厚之抗蚀图案上,覆盖欲加厚之抗蚀图 案,以便加厚该欲加厚之抗蚀图案, 其中该抗蚀图案加厚材料包括: 树脂; 交联剂;及 至少一种选自阳离子界面活性剂、两性界面活性 剂及非离子界面活性剂之界面活性剂,而其中非离 子界面活性剂系选自烷氧基化合物界面活性剂、 脂肪酸酯系界面活性剂、醯胺系界面活性剂、有 单键结或双键结之醇系界面活性剂和乙二胺系界 面活性剂。 24.如申请专利范围第23项之形成抗蚀图案之方法, 其中,在涂敷该抗蚀图案加厚材料的步骤之后,进 行显影制程。 25.如申请专利范围第24项之形成抗蚀图案之方法, 其中,系使用纯水进行显影制程。 26.一种半导体装置,包括: 图案,其系使用由抗蚀图案加厚材料所加厚之抗蚀 图案所形成, 其中该抗蚀图案加厚材料包括: 树脂; 交联剂;及 至少一种选自阳离子界面活性剂、两性界面活性 剂及非离子界面活性剂之界面活性剂,而其中非离 子界面活性剂系选自烷氧基化合物界面活性剂、 脂肪酸酯系界面活性剂、醯胺系界面活性剂、有 单键结或双键结之醇系界面活性剂和乙二胺系界 面活性剂。 27.一种制造半导体装置之方法,包括; 在形成欲加厚之抗蚀图案后,涂敷抗蚀图案加厚材 料以覆盖欲加厚之抗蚀图案表面,以便加厚该欲加 厚之抗蚀图案并且形成抗蚀图案;及 使用该抗蚀图案作为遮罩,蚀刻该底层,以便使该 底层图样化, 其中该抗蚀图案加厚材料包括: 树脂; 交联剂;及 至少一种选自阳离子界面活性剂、两性界面活性 剂及非离子界面活性剂之界面活性剂,而其中非离 子界面活性剂系选自烷氧基化合物界面活性剂、 脂肪酸酯系界面活性剂、醯胺系界面活性剂、有 单键结或双键结之醇系界面活性剂和乙二胺系界 面活性剂。 28.如申请专利范围第27项之制造半导体装置之方 法,复包括: 在涂敷该抗蚀图案加厚材料的步骤之前,将界面活 性剂涂敷在欲加厚之抗蚀图案表面上。 图式简单说明: 第1A至1C图为说明使用本发明之抗蚀图案加厚材料 加厚抗蚀图案机构之一实例的示意图。 第2A至2E图为说明形成本发明抗蚀图案之方法之一 实例的示意图。 第3A至3B图为说明本发明半导体装置之一实例-FLASH EPROM的俯视图。 第4A至4C图为说明制造FLASH EPROM之方法的一组截面 示意图之部分1,该方法为本发明之制造半导体装 置之方法的一实例。 第5D至5F图为说明制造FLASH EPROM之方法的该组截面 示意图之部分2,该方法为本发明之制造半导体装 置之方法的一实例。 第6G至6I图为说明制造FLASH EPROM之方法的该组截面 示意图之部分3,该方法为本发明之制造半导体装 置之方法的一实例。 第7A至7C图为说明制造FLASH EPROM之方法的截面示意 图,该方法为本发明之制造半导体装置之方法的另 一实例。 第8A至8C图为说明制造FLASH EPROM之方法的截面示意 图,该方法为本发明之制造半导体装置之方法的另 一实例。 第9A至9D图为说明将抗蚀图案应用在制造记录头之 一实例的截面示意图,该抗蚀图案已使用本发明之 抗蚀图案加厚材料进行加厚。 第10A至10B图为说明将抗蚀图案应用在制造记录头 之另一实例的方法之部分1和2的截面示意图,该抗 蚀图案己使用本发明之抗蚀图案加厚材料进行加 厚。 第11C至11D图为说明将抗蚀图案应用在制造记录头 之另一实例的方法之部分3和4的截面示意图,该抗 蚀图案已使用本发明之抗蚀图案加厚材料进行加 厚。 第12E至12F图为说明将抗蚀图案应用在制造记录头 之另一实例的方法之部分5和6的截面示意图,该抗 蚀图案已使用本发明之抗蚀图案加厚材料进行加 厚。 第13图为表示由第10A至12F图之方法所制造的记录 头之一实例的平面图。 |
