发明名称 辨识记忆体装置内储存资料的记忆体储存格的方法
摘要 本发明所记载的数个较佳实施例系提供一记忆体装置及其配合使用方法。在其一较佳实施例中,揭示一种方法,其使用一档案系统以动态地因应在第一与第二只写一次记忆体装置内一经指示的最少数的记忆储存格的变化。在另一较佳实施例中,描述一种在一记忆体装置内覆写资料的方法,使一破坏模式被写入后,一侦错码会被忽略。在再一较佳实施例中,揭示一种方法,其中当一记忆体的区块已被分配给在将被储存于一记忆体装置内的一档案后,在那区块的可用列数则会被决定。另一较佳实施例有关于在一记忆体装置内预留至少一记忆体储存格给档案结构或档案系统结构。本发明亦提供一种记忆体装置,其中至少两个档案系统的档案系统结构皆被存在相同的记忆体分割区。此外,该等方法皆揭露永久地防止储存在一记忆体装置内的资料被修改,及供以辨识储存资料的记忆储存格。
申请公布号 TWI283859 申请公布日期 2007.07.11
申请号 TW095131402 申请日期 2001.09.14
申请人 矩阵半导体股份有限公司 发明人 玛希;摩理;伯朗;李;强生
分类号 G11B27/19(2006.01);G06F12/06(2006.01) 主分类号 G11B27/19(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种辨识记忆体装置内储存资料的记忆体储存 格的方法,该方法包括下列步骤: (a)在一记忆体装置内提供一组记忆体储存格,该组 记忆体储存格储存有一识别模式; (b)以资料覆写该等储存有识别模式的记忆体储存 格;及 (c)藉由辨识该等储存有识别模式的记忆体储存格 所紧邻的记忆体储存格,以辨识该等储存有资料的 记忆体储存格。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(c)包括辨 识紧邻储存有识别模式的记忆体储存格的一预定 数量内记忆体储存格的该等记忆体储存格。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(c)包括辨 识在两组储存有识别模式的记忆体储存格之间的 记忆体储存格。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(c)包括辨 识在一组储存有预定模式之资料的记忆体储存格 与一组储存有识别模式的记忆体储存格之间的记 忆体储存格。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(b)被覆 写的该等记忆体储存格系位在储存有识别模式的 记忆体储存格与储存有先前储存的资料的记忆体 储存格之间。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该等储存有识 别模式的记忆体储存格皆处于一未程式化的逻辑 状态。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中一些储存有识 别模式的记忆体储存格系处于一未程式化的逻辑 状态,及其余储存有识别模式的记忆体储存格则处 于一程式化的逻辑状态。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该资料包括一 储存于该记忆体装置内一档案的描述。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该资料包括一 指向储存于该记忆体装置内一档案的指标。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该资料包括 至一行事历应用程式中的一输入,该应用程式系被 一连接该记忆体装置的资料储存系统所执行。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该资料包括 被一照片编辑应用程式储存的一照片,该应用程式 系被一连接该记忆体装置的资料储存系统所执行 。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该记忆体装 置被逻辑地组成数个区块,每一区块包括至少一列 。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中,一列包括有 在写入操作期间能被写进的最少数量记忆体储存 格。 14.如申请专利范围第1项之方法,其中该记忆体装 置包括一种只写一次记忆体装置。 15.如申请专利范围第1项之方法,其中该记忆体装 置包括一种三维的只写一次记忆体装置。 16.一种辨识记忆体装置内储存资料的记忆体储存 格的方法,该方法包括下列步骤: (a)储存资料于一记忆体装置的一第一组记忆体储 存格; (b)储存一识别符于紧邻该第一组记忆体储存格的 一第二组记忆体储存格,该识别符系指示该等紧邻 该识别符的记忆体储存格储存资料;及 (c)使用该识别符辨识该第一组记忆体储存格。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该识别符被 储存在该已存资料的最后部份。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该资料被储 存在该识别符的前后。 19.如申请专利范围第16项之方法,其中该识别符系 被固定的。 20.如申请专利范围第16项之方法,其中该识别符系 为动态的。 21.如申请专利范围第16项之方法,其中该识别符系 指示储存在该识别符前的资料是否为有效。 图式简单说明: 第1图为一种资料储存系统及记忆体装置之一较佳 实施例方块图。 第2图为一种记忆体阵列之一较佳实施例示意图, 逻辑地被组成列、区块及分割区。 第3图为一种资料储存系统及第一与第二记忆体装 置之一较佳实施例方块图。 第4a图、第4b图及第4c图为一种只写一次记忆体装 置的数个记忆体储存格之一较佳实施例结构图。 第5图为一种资料储存系统及记忆体装置之另一较 佳实施例方块图。 第6图为一种记忆体阵列之一较佳实施例示意图, 其中一记忆体区块的部份被一第一档案填满及该 区块的其余部份则被一第二档案填满。 第7a图、第7b图及第7c图为一档案的档案结构如何 被保留在一记忆体装置之一较佳实施例示意图。 第8a图及第8b图为一分割区的档案系统结构如何被 保留在一记忆体装置之一较佳实施例示意图。 第9a图及第9b图为一种记忆体装置之一较佳实施例 示意图,其中两个档案系统的档案系统结构被储存 在一单独的记忆体分割区内。 第10a图、第10b图及第10c图为一种辨识储存资料的 记忆体储存格的方法中数个记忆体储存格之一较 佳实施例示意图。 第11图为一种记忆体装置之一较佳实施例示意图, 具有嵌入式错误检查及更正(ECC)编码线路。
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