| 主权项 |
1.一种具有体接触窗之鳍状场效电晶体,该鳍状场 效电晶体至少包含: 一鳍状通道位于表面覆盖有一绝缘层之一基底上; 一源极位于该鳍状通道之第一末端,并与该第一末 端相连接; 一汲极位于该鳍状通道之第二末端,并与该第二末 端相连接; 一体接触窗位于该鳍状通道之一侧,并藉由一基底 通道连接于该鳍状通道; 一闸介电层覆盖在该鳍状通道之表面;以及 一闸极位于该鳍状通道之另一侧,并跨越该鳍状通 道之上。 2.如申请专利范围第1项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体,其中复数个矽化金属层分别位于该 闸极、该源极、该汲极与该体接触窗之上。 3.如申请专利范围第1项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体,其中该鳍状通道、该源极、该汲极 与该体接触窗的材质包含多晶矽、磊晶矽、磊晶 矽锗或单晶锗。 4.如申请专利范围第1项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体,其中该闸极的材质包含半导体材料 、金属、氮化金属、矽化金属或上述之任意组合 。 5.如申请专利范围第1项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体,其中该闸介电层之材质包含氧化矽 或具有高介电常数之介电材料。 6.一种具有体接触窗之鳍状场效电晶体的制造方 法,该鳍状场效电晶体的制造方法至少包含: 形成一第一绝缘层于一基底上; 形成一半导体层于该绝缘层上; 图案化该半导体层以形成T形通道,并同时形成源 极、汲极与体接触窗分别于该T形通道之三个端点 上,其中该源极与该汲极位于该T形通道之横向通 道的相对两端点上; 形成一闸介电层于该T形通道、该源极、该汲极与 该体接触窗上; 形成一导电层于该基底上; 图案化该导电层以形成闸极跨越于该T形通道之该 横向通道之上,该闸极与该体接触窗分别位于该T 形通道之该横向通道的两侧; 形成一第二绝缘层于该基底上;以及 非等向蚀刻该第二绝缘层以分别形成复数个间隙 壁于该闸极、该源极、该汲极、该体接触窗与该T 形通道之侧壁上。 7.如申请专利范围第6项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体的制造方法,其中该第一绝缘层包含 氧化矽层。 8.如申请专利范围第6项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体的制造方法,其中该半导体层的材质 包含磊晶矽、多晶矽、磊晶矽锗或单晶锗。 9.如申请专利范围第6项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体的制造方法,其中形成该闸介电层的 方法包含热氧化法或化学气相沉积法。 10.如申请专利范围第6项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体的制造方法,其中该导电层的材质包 含半导体材料、金属、氮化金属、矽化金属或上 述之任意组合。 11.如申请专利范围第6项所述之具有体接触窗之鳍 状场效电晶体的制造方法,其中该第二绝缘层包含 氮化矽层。 图式简单说明: 第1图为习知的场效电晶体结构的俯视示意图。 第2A图为第1图之AA′剖面的结构示意图。 第2B图为第1图之BB′剖面的结构示意图。 第3A-3D图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种 具有体接触窗之鳍状场效电晶体图的制造流程剖 面图。 第4图为第3B图之俯视示意图。 第5图为第3C图之俯视示意图。 |
