| 主权项 |
1.一种清洗一制程处理室构件之方法,该构件包含 一金属涂层具有一表面于其上,该方法至少包含下 列步骤: (a)沉浸该金属涂层之该表面于一酸性溶液中,以自 该表面移除制程沉积物之至少一部份;及 (b)在步骤(a)后,沉浸该金属涂层之该表面于硷性溶 液中,以实质移除所有该金属涂层。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)包 含沉浸该表面于包含约2M至约8M HF的酸性溶液中。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)包 含沉浸该表面于包含约5m至约15M HNO3的酸性溶液中 。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(b)包 含沉浸该表面于包含约1M至8M KOH的硷性溶液中。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该构件包 含具有该金属涂层于其上之一其下层陶瓷结构,且 其中该方法更包含: (c)珠击该构件,以提供具有平均粗糙度小于约150微 英寸的表面。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该构件包 含具有该金属涂层于其上之一其下层金属结构,其 中该方法更包含: (c)珠击该构件,以提供具有平均粗糙度至少约160微 英寸的表面。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属涂 层至少包含铝、钛、铜与铬之一或多者。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该构件至 少包含一其下层结构,该其下层结构至少包含氧化 铝、氮化铝、碳化矽与氮化矽、钛、不锈钢、铜 或钽。 9.一种根据申请专利范围第1项之方法加以清洗的 构件,该构件至少包含一或多个环,该环之尺寸与 形状系至少部分环绕基板,并覆盖一制程处理室内 一基板支撑件之一上表面的至少一部份,以抑制该 支撑件的腐蚀。 10.一种根据申请专利范围第1项之方法加以清洗的 构件,该构件至少包含一上屏蔽与下屏蔽之一或多 者的一部份,该上屏蔽与下屏蔽的尺寸与形状系至 少部分环绕制程处理室内的一基板支撑件,并形成 一阻障,以保护该处理室墙。 11.一种再磨光一制程处理室构件的方法,该制程处 理室构件至少包含具有一金属涂层于其上之一其 下层陶瓷结构,该方法至少包含下列步骤: (a)沉浸该金属涂层之一表面于包含HF与HNO3的一酸 性溶液中,以自该表面移除该制程沉积物至少一部 份; (c)在步骤(a)后,沉浸该金属涂层之该表面于包含KOH 的硷性溶液中,以实质移除所有该金属涂层,藉此 暴露该其下层结构之一其下层表面的至少一部份; (d)任意地珠击该其下层结构之该顶部表面,以提供 具有平均粗糙度小于约150微英寸的一其下层表面; 及 (e)再形成该金属涂层于该其下层表面之至少一部 份上。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤(a) 包含沉浸该表面于包含约2M至约8M HF以及约5M至约 15M HNO3的酸性溶液中,而其中步骤(b)包含沉浸该表 面于包含约1M至约8M KOH的硷性溶液中。 13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该金属 涂层包含铝、钛、铜或铬之一或多者。 14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该其下 层陶瓷结构至少包含氧化铝、氮化铝、碳化矽与 氮化矽。 15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤(d) 包含再形成一金属涂层具有约6公厘至约8公厘的 厚度、平均粗糙度由约1000至约1200微英寸、及小 于约30%的孔隙度。 16.一种藉由申请专利范围第11项之方法再磨光的 制程处理室构件,该构件至少包含一沉积环,该沉 积环的尺寸与形状至少部分环绕该基板并覆盖一 制程处理室内一基板支撑件的一上表面至少一部 份,以抑制该支撑件的腐蚀。 17.一种再磨光一制程处理室构件的方法,该制程处 理室构件至少包含具有一金属涂层于其上之一其 下层金属结构,该方法至少包含下列步骤: (a)沉浸该金处涂层之一表面于包含HF与HNO3至少一 者的一酸性溶液中,以自该表面移除该制程沉积物 至少一部份; (b)在(a)步骤后,沉浸该金属涂层之该表面于包含KOH 的硷性溶液中,以实质移除所有该金属涂层,藉此 暴露该其下层金属结构之一其下层表面的至少一 部份; (c)任意地珠击该其下层金属结构之该其下层表面, 以提供具有平均粗糙度至少约160微英寸的一顶部 表面;及 (d)再形成该金属涂层于该其下层表面之至少一部 份上。 18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中步骤(a) 至少包含沉浸该表面于包含约2M至约8M HF以及约5M 至约15M HNO3的酸性溶液中,而其中步骤(b)包含沉浸 该表面于包含约1M至约8M KOH的硷性溶液中。 19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该其下 金属结构包含铝、钛、不锈钢、铜与钽之至少一 者。 20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中步骤(d) 至少包含再形成一金属涂层具有约8公厘至约12公 厘的厚度、平均粗糙度由约1400至约1600微英寸、 及小于约30%的孔隙度。 21.一种藉由申请专利范围第17项再磨光之制程处 理构件,该构件至少包含(1)一屏蔽之一部分的尺寸 与形状至少部分环绕制程处理室内之一基板支撑 件并形成一阻障以保护该处理室之墙,及(2)一覆盖 环之尺寸与形状至少部分环绕该基板并覆盖制程 处理室内一基板支撑件之上表面的至少一部份以 抑制该支撑件之腐蚀,的至少一者。 图式简单说明: 第1图系为具有一金属涂层之一处理室构件的截面 示意图; 第2图系为本发明一制程实施例的流程图; 第3a图系为一处理室构件具有一金属涂层及制程 沉积物于其上之截面示意图; 第3b图移除制程沉积物后,第3a图处理室构件之截 面示意图; 第3c图移除涂层后,第3b图处理室构件之截面示意 图; 第3d图系为第3c图处理室构件具有一内金属层之截 面示意图; 第4图系为一设备实施例之上视图,此设备包含一 多处理室平台具有多个互连PVD处理室架设于平台; 第5图系为PVD处理室实施例之截面示意图,用以处 理基板; 第6图系为电脑程式之等级控制结构的简单块状图 ,其可操作第5图之PVD处理室; 第7图涂布于本发明再磨光构件上之金属键结强度 之比较长条图; 第8图系显示再磨光涂层之较高标准化键结强度, 容许再磨光元件在其构件具有较低键结强度而必 须被回收前,处理较多基板; 第9图系为传统制程之再磨光构件以及本发明之再 磨光构件间所经历之电浆功率时间的差异图。 |
